WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM

最新推荐文章于 2024-07-03 10:47:55 发布
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WPM2341是一款P通道增强模式MOSFET，具备高效率，适用于延长电池寿命。其微型SOT23-3封装便于实现超低RDS（ON）和高密度电池设计。常用于负载开关、DC/DC转换器、电池供电系统和电源管理，特别是在便携式设备中。功耗特性中指出，RDSJA为125°C/W，最大功耗取决于RDSJA和PCB焊盘尺寸。

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WPM2341
P通道增强模式Mosfet
WPM2341-3/TR

特征

更高的效率延长电池寿命
微型SOT23-3表面贴装封装
超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）
描述

应用

FAE:13723714318
负载开关
DC / DC转换器
电池供电系统
液晶显示变频器
便携式电池供电产品的电源管理
应用

功耗特性

  1. WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸
    2盎司CuRşJA是125ć/ W.
    2.功耗PD基于TJ（MAX）= 150°C，TJ与PD之间的关系为TJ = Ta +
    RşJA* PD，最大功耗由RşJA决定。
    3.RşJA是从结到环境的热阻抗，使用更大的PCB焊盘尺寸可以得到
    更小的RşJA并导致更大的最大功耗。
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WPM2341-3/TR-VB_MOSFET产品应用与参数解析
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在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，WPM2341-3/TR是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。WPM2341-3/TR详细参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-20V- 额定电流：-4A- 导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V- 门源电压：12Vgs (±V)- 阈值电压：-0.81Vth (V)- 封装类型：SOT23。
WPM2341A-3/TR-VB_MOSFET产品应用与参数解析
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总之，WPM2341A-3/TR MOSFET适用于中低功率P沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的电流控制和低功率转换功能。型号 WPM2341A-3/TR丝印 VB2290品牌 VBsemi参数说明 - MOSFET类型 P沟道- 额定电压(VDS) -20V - 额定电流(ID) -4A - 开通电阻(RDS(ON)) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V - 阈值电压(Vth) -0.81V - 封装类型 SOT23。
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*总结：** WPM2341-3-TR-VB是一款适用于负电压场景的P-Channel沟道MOSFET，包括电源开关、电池保护、负载开关和逆变器等领域。1. **电源开关模块：** WPM2341-3-TR-VB适用于电源开关模块，尤其是在负电压场景下。3. **负载开关：** 在需要对负载进行高效控制的领域，如便携式设备或电源开关模块，WPM2341-3-TR-VB可用于负载开关，提供可靠的电流调节和保护功能。**产品型号：** WPM2341-3-TR-VB。**封装：** SOT23。
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