WPM3012-3/TR单P沟道 增强型MOS 场效应晶体管WILLSEM

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WPM3012是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管，具备低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。其无铅无卤的设计符合环保标准，特别适合在高密度电池设计中使用。

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单P沟道，-30V，-3.1A，功率MOSFET

描述

WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。
WPM3012

特征

FAE:13723714318
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23
-30V

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
最大额定值
电子特性
典型特性

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