搭建H桥电路时，MOS管的驱动电路该如何设计？

MOS 管的驱动电路是 H 桥电路稳定工作的核心，尤其需解决上桥臂 MOS 管的悬浮驱动和高低压隔离问题。设计时需兼顾驱动速度、抗干扰能力和可靠性，以下是详细设计方案：

一、MOS 管驱动的核心要求

1. 栅极电压（Vgs）：
   N 沟道 MOS 管导通需 Vgs > 阈值电压（Vth，通常 2-5V），为保证低导通电阻，Vgs 需达到 10-15V（参考 datasheet，如 IRF3205 推荐 Vgs=10V）。
   P 沟道 MOS 管则需 Vgs < 0，但因导通电阻大，H 桥中极少使用，故以下以 N 沟道为例。

2. 驱动电流：
   MOS 管栅极等效为电容（输入电容 Ciss），开关时需快速充电 / 放电，驱动电路需提供足够电流（如 1-10A 峰值），缩短开关时间（减少开关损耗）。

3. 上桥臂与下桥臂的差异：

   • 下桥臂：源极（S）接地，驱动电路参考地与主电路地共地，设计简单。
   • 上桥臂：源极（S）随负载电压浮动（与下桥臂漏极相连），驱动电路需 “悬浮供电”，输出电压需高于源极电压（Vgs = Vg - Vs > Vth）。

4. 抗干扰：
   栅极若