使用 MOS 管搭建 H 桥电路是实现直流电机正反转、调速等功能的常用方案,广泛应用于电机驱动、逆变器等场景。以下是详细的搭建步骤、关键参数选择及注意事项:
一、H 桥电路的基本原理
H 桥电路由 4 个 MOS 管(或三极管)组成 “桥式” 结构,中间连接负载(如直流电机),通过控制 MOS 管的导通 / 关断组合,实现负载两端电压方向的切换(如电机正转、反转、停止)。
- 核心功能:通过控制对角线上的 MOS 管导通(如 Q1+Q4 导通,Q2+Q3 截止),实现电流从左到右流过负载;反之(Q2+Q3 导通),电流方向相反。
- MOS 管类型:通常选用 N 沟道增强型 MOS 管(导通电阻小、开关速度快),需注意 “上桥臂” 和 “下桥臂” 的驱动差异。
二、搭建所需材料
- MOS 管:4 个 N 沟道 MOS 管(如 IRF3205、FQP30N06L 等,根据负载电流选择)。
- 驱动芯片:如 IR2104(半桥驱动,需 2 片)、TC4424(高速 MOS 驱动),用于解决上桥臂 MOS 管的驱动电压问题。
- 电源:
- 主电源(VCC):为负载供电(如电机电压,根据负载需求选择,如 12V、24V)。
- 驱动电源(VDD):为驱动芯片供电(通常 5-15V,参考芯片 datasheet
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