VDDQ VDD VCC VSS etc

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本文详细介绍了各种电子元件的供电电压类型，包括GPU或核心电压(VDDC)、内存芯片输出缓冲器供电电压(VDDQ)、双极型晶体管正向供电电压(VCC)、场效应管正向供电电压(VDD)以及双极型晶体管和场效应管的负向供电电压(VEE, VSS)。

vddc: GPU or CORE Voltage

VDDQ-------The supply voltage to the output buffers of a memory chip

Vcc- Positive supply voltage of a Bipolar Junction Transisto

Vdd- Positive supply voltage of A Field Effect Transistor

Vee- Negative supply voltage of a Bipolar Junction Transistor

Vss- Negative supply voltage of A Field Effect Transistor

RV1126与RV1109AI系统设计概要（二部分）
xiaoredred的博客
07-25 2747
DMC包括DDR协议控制器（PCTL）和DDRPHY，它们是DDR内存子系统的完整内存接口解决方案。
了解 ARM Coretex-A 系列芯片
qq_30986861的博客
10-10 5612
芯片信息整理，个人手打内容，有疑问请与本人交流。
VDD,VDDQ,VCC...SSTL等的区别及用法
juxianliyu的专栏
02-05 2万+
最近，在看DDR SDRAM的芯片手册，看到VDD，VddQ瞬间就乱了，不知这两者有啥区别，故上网查资料，详列如下： In the computer enthusiast world the terms are not fully defined. The most used meanings are following: VCore: The core supply voltage of a
FPGA-DDR总线电源硬件设计技巧-Fly-by走线阻抗
ltqdxl的博客
06-06 5626
DDR总线总电源的类型有好几种，但是很多时候在设计时都合并了。 1、电源DDR的分类A、 主电源VDD和VDDQ主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压、电流是否满足要求。电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DD
DDR的VPP电压必须始终≥VDD&VDDQ且不晚于VDD&VDDQ上电的原因
weixin_42116023的博客
05-10 1万+
在DDR内存中，VPP必须始终大于或等于VDD/VDDQ，这是因为VPP用于编程和擦除DDR存储芯片内存（非易失性存储器，如EEPROM和闪存等）中的数据。另外，VPP电压不能晚于VDD/VDDQ上电，这是因为在上电时，VDD/VDDQ电压会先上升到正常工作电压，而VPP电压上升的速度可能会比VDD/VDDQ慢，如果VPP电压晚于VDD/VDDQ上电，就会导致内存无法正常工作。因此，为了保证DDR内存的正常工作，VPP必须始终大于或等于VDD/VDDQ，并且不能晚于VDD/VDDQ上电。
【转】主板上的电压符号：vdd，vddq，5vsb，3.3sb，vcc3.3，Vdimm
delacroix_xu的专栏
07-19 1万+
<br />VDD--普通的IC电源,可能+3V, +1.5V之类, VDDQ-需要经过滤波的电源,稳定度要求比VDD更高, 5VSB--5V待机电源,待机电源是指电脑未开机,但插着外部电源,主板上有一部分供着电,可以做唤醒等作用的电. 3VSB--3V待机电源. VCC3--+3V主要电源. VDIMM--memory的电源. 电源一般都是VDD,VCC,没有叫DD的.SB就是待机电源. VCORE--CPU电源, 主板有+5VSB,+3VSB, +3V,+5V,+12V,+5V_DUAL
VCore, VDD, VDDQ, VDDR, VDIMM.. Help!
JasonCao的专栏
02-13 4805
What do all of these terms mean? Well, that is what this article is here to tell you.For overclockersIn the computer enthusiast world the terms are not fully defined. The most used meanings are
C、VDD、VSS、 VEE 和VPP的区别
08-03
本文将详细阐述C、VDD、VSS、VEE以及VPP的区别，帮助初学者掌握这些基本概念。 首先，让我们来看一下VCC。VCC来源于英文"Circuit"，代表电路的电压，通常用于为整个电路系统提供电源。它与电路中的负载直接相连，...
主板上电压符号代表的意义
05-03
6. VDDQ：此符号表示需要经过滤波的电源，其稳定性要求高于VDD，通常用于对电源稳定性要求极高的场合。 7. VCORE：CPU的核心电压，根据CPU的不同型号，电压也会有所变化，用于保证CPU正常工作。 8. VID：CPU电压...
电子电路电源符号大全.docx
04-24
4. VSS：代表电源负极，S 可以理解为 MOS 管的源极 Source。 5. VBB：代表电源正极，B 可以理解为三极管的基极 Base。 6. AVCC：模拟 VCC，一般模拟器件会有，A 是 Analog 的意思。 7. AVDD：模拟 VDD，一般模拟...
PI案例分享--基于DDR4 PHY的VDDQ封装电源完整性分析
一只豌豆象的博客
08-09 2526
随着核心电源网络的电压裕度持续降低，端到端电源完整性建模变得愈发困难，究其原因，是作为系统设计者，我们通常无法得知供应商提供的芯片die模型（die model）的准确性，本文就一个实际的案例，对该问题进行了较为深入的探讨，为正确判断die模型的正确性提供了一种行之有效的思路。
DRAM的一些电压参数VDD VDDQ VPP剖析
一棹春风一叶舟，一纶茧缕一轻钩
11-05 5万+
VDD：北桥芯片供电电压或者存储芯片的输入缓冲和核心逻辑的供电电压。 VDDQ:存储芯片的输出缓冲供电电压。 VPP：DDR4中VPP电压的作用是为字位线提供电压，需要外供，DDR4 SDRAM 不用内建 电荷泵Charge pump，为了省功耗； DDR3本身也需要的，在DDR3 SDRAM内部有电压泵，不需要外供。 VCore: The core supply voltage...
DRAM引脚功能与测试要点
m0_37606066的博客
06-12 2292
动态随机存取存储器 (Dynamic Random-Access Memory, DRAM) 作为一种易失性半导体存储器，在现代计算系统中扮演着至关重要的角色，广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备等领域 1。DRAM通过存储单元（通常由一个微型电容器和一个晶体管组成）中的电荷状态来表示数据位0或1 1。由于电容器的电荷会随时间泄漏，DRAM需要周期性的刷新操作来维持数据完整性，这也是其“动态”特性的由来 1。理解DRAM的引脚分类及其各自功能，对于系统设计、性能优化、故障诊断以及有效的测试策略制定至关重要。
VPP 和 VDDQ 在 DDR4 中的作用详细讲解
weixin_43199439的博客
09-23 4025
VPP：是DDR4新增的2.5V电源，用于行激活操作，优化行访问速度并降低功耗。通过将字线驱动分离到VPP电源，DDR4的整体性能和稳定性得到了显著提升。VDDQ：是专门为DDR4的数据I/O缓冲器供电的电源，分离设计能够有效提升数据传输中的信号完整性，并降低功耗和噪声干扰。其独立的供电设计使得DDR4在高频操作时能保持更稳定的信号。通过这两个独立电源的引入，DDR4在提升性能的同时也有效控制了功耗，为高性能应用场景如服务器和数据中心提供了可靠的解决方案。
硬件设计学习DAY19——电源 DDR系统的三种电源：VDD、Vref与VTT全面解析
人生真正的货币不是金钱，不是时间，而是你的注意力！”​​ ——纳瓦尔（《纳瓦尔宝典》）
07-24 2842
摘要： DDR系统电源设计包含主电源VDD/VDDQ（供电核心与I/O）、参考电压Vref（信号判决基准）及匹配电压VTT（终端电阻上拉）。VTT是关键，需动态跟踪VDDQ/2并提供双向电流以稳定信号，通过戴维南电路或专用电源芯片实现。其工作原理依赖反馈调节：信号高低电平时分别吸收或补充电流，确保高速传输完整性。现代设计趋向戴维南替代，但多负载仍需VTT电源。电流估算公式为I=VTT/R×N（N为信号线数），实际需考虑电平抵消效应。DDR5因电压更低，对电源噪声控制要求更严苛。
一文读懂SDRAM的电源系统及拓扑结构
启芯硬件的博客
03-25 2335
SDRAM（同步动态随机存取存储器）作为一种计算机内存类型，具有特定的电源系统要求。以下是关于SDRAM电源系统的一些基本信息：主电源是为SDRAM提供电压的电源，通常为VDD和VDDQ。VDD是给SDRAM的控制逻辑和存储单元供电的电源，而VDDQ则是给SDRAM的IO buffer供电的电源。在一般的使用中，VDDQ和VDD合成一个电源使用。主电源的要求是VDDQ=VDD。参考电源是用于为SDRAM提供一个稳定的参考电压。参考电压的稳定性对于SDRAM的正常工作至关重要。
【硬十宝典】——7.1【动态RAM】DDR硬件设计要点
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一个程序猿的博客
07-22 12万+
DDR的设计要点 a、主电源VDD和VDDQ  主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。  有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。 ......
LPDDR4x的系统级SI-PI协同仿真
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图1 LPDDR4x内存下降配置。
VCC、VDD、VSS、VDDA等区别
BUG从入门到精通
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VCC：C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压； VDD：D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压； VSS：S=series表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。 GND：在电路里常被定为电压参考基点。 VEE：负电压供电；场效应管的源极（S） VPP：编程/擦除电压。 V*与V*A的区别是：数字与模拟的区别 数字电路供电VCC 模拟电路供电VCCA CC与DD的区别是：供电电压与工作电压的区别（通常VCC>VDD） VDD是指工作电...
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### VDD、VDD2H 和 VDDQ 的含义与区别 #### VDD VDD 是 DDR 内存中的核心电源之一，主要用于为内存芯片内部的逻辑电路供电。在 LPDDR5 中，VDD 电压的典型值为 1.05V，相比 LPDDR4X 的 1.1V 有所降低，这有助于减少...
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