VDDQ VDD VCC VSS etc

最新推荐文章于 2025-03-20 10:21:42 发布
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分类专栏： 高速接口 文章标签： vss output
本文详细介绍了各种电子元件的供电电压类型，包括GPU或核心电压(VDDC)、内存芯片输出缓冲器供电电压(VDDQ)、双极型晶体管正向供电电压(VCC)、场效应管正向供电电压(VDD)以及双极型晶体管和场效应管的负向供电电压(VEE, VSS)。

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vddc: GPU or CORE Voltage

VDDQ-------The supply voltage to the output buffers of a memory chip

Vcc- Positive supply voltage of a Bipolar Junction Transisto

Vdd- Positive supply voltage of A Field Effect Transistor

Vee- Negative supply voltage of a Bipolar Junction Transistor

Vss- Negative supply voltage of A Field Effect Transistor

PI案例分享--基于DDR4 PHY的VDDQ封装电源完整性分析
一只豌豆象的博客
08-09 2275
随着核心电源网络的电压裕度持续降低，端到端电源完整性建模变得愈发困难，究其原因，是作为系统设计者，我们通常无法得知供应商提供的芯片die模型（die model）的准确性，本文就一个实际的案例，对该问题进行了较为深入的探讨，为正确判断die模型的正确性提供了一种行之有效的思路。
RV1126与RV1109AI系统设计概要（二部分）
xiaoredred的博客
07-25 2262
DMC包括DDR协议控制器（PCTL）和DDRPHY，它们是DDR内存子系统的完整内存接口解决方案。
VDD,VDDQ,VCC...SSTL等的区别及用法
juxianliyu的专栏
02-05 2万+
最近，在看DDR SDRAM的芯片手册，看到VDD，VddQ瞬间就乱了，不知这两者有啥区别，故上网查资料，详列如下： In the computer enthusiast world the terms are not fully defined. The most used meanings are following: VCore: The core supply voltage of a
【转】主板上的电压符号：vdd，vddq，5vsb，3.3sb，vcc3.3，Vdimm
delacroix_xu的专栏
07-19 1万+
<br />VDD--普通的IC电源,可能+3V, +1.5V之类, VDDQ-需要经过滤波的电源,稳定度要求比VDD更高, 5VSB--5V待机电源,待机电源是指电脑未开机,但插着外部电源,主板上有一部分供着电,可以做唤醒等作用的电. 3VSB--3V待机电源. VCC3--+3V主要电源. VDIMM--memory的电源. 电源一般都是VDD,VCC,没有叫DD的.SB就是待机电源. VCORE--CPU电源, 主板有+5VSB,+3VSB, +3V,+5V,+12V,+5V_DUAL
VCore, VDD, VDDQ, VDDR, VDIMM.. Help!
JasonCao的专栏
02-13 4575
What do all of these terms mean? Well, that is what this article is here to tell you.For overclockersIn the computer enthusiast world the terms are not fully defined. The most used meanings are
DRAM的一些电压参数VDD VDDQ VPP剖析
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一棹春风一叶舟，一纶茧缕一轻钩
11-05 5万+
VDD：北桥芯片供电电压或者存储芯片的输入缓冲和核心逻辑的供电电压。 VDDQ:存储芯片的输出缓冲供电电压。 VPP：DDR4中VPP电压的作用是为字位线提供电压，需要外供，DDR4 SDRAM 不用内建 电荷泵Charge pump，为了省功耗； DDR3本身也需要的，在DDR3 SDRAM内部有电压泵，不需要外供。 VCore: The core supply voltage...
C、VDD、VSS、 VEE 和VPP的区别
08-03
本文将详细阐述C、VDD、VSS、VEE以及VPP的区别，帮助初学者掌握这些基本概念。 首先，让我们来看一下VCC。VCC来源于英文"Circuit"，代表电路的电压，通常用于为整个电路系统提供电源。它与电路中的负载直接相连，...
主板上电压符号代表的意义
05-03
6. VDDQ：此符号表示需要经过滤波的电源，其稳定性要求高于VDD，通常用于对电源稳定性要求极高的场合。 7. VCORE：CPU的核心电压，根据CPU的不同型号，电压也会有所变化，用于保证CPU正常工作。 8. VID：CPU电压...
了解 ARM Coretex-A 系列芯片
qq_30986861的博客
10-10 5527
芯片信息整理，个人手打内容，有疑问请与本人交流。
电子电路电源符号大全.docx
04-24
4. VSS：代表电源负极，S 可以理解为 MOS 管的源极 Source。 5. VBB：代表电源正极，B 可以理解为三极管的基极 Base。 6. AVCC：模拟 VCC，一般模拟器件会有，A 是 Analog 的意思。 7. AVDD：模拟 VDD，一般模拟...
LPDDR4x的系统级SI-PI协同仿真
鹰飞天下
08-28 2188
图1 LPDDR4x内存下降配置。
VPP 和 VDDQ 在 DDR4 中的作用详细讲解
weixin_43199439的博客
09-23 3304
VPP：是DDR4新增的2.5V电源，用于行激活操作，优化行访问速度并降低功耗。通过将字线驱动分离到VPP电源，DDR4的整体性能和稳定性得到了显著提升。VDDQ：是专门为DDR4的数据I/O缓冲器供电的电源，分离设计能够有效提升数据传输中的信号完整性，并降低功耗和噪声干扰。其独立的供电设计使得DDR4在高频操作时能保持更稳定的信号。通过这两个独立电源的引入，DDR4在提升性能的同时也有效控制了功耗，为高性能应用场景如服务器和数据中心提供了可靠的解决方案。
浅谈DDR4的电平
巴菲特豆的博客
06-29 5849
HSUL电平HSUL-12电平主要用于点到点的无端接总线拓扑结构，不需要外部串行或者并行匹配电阻，降低了端接功耗，LPDDR3使用的就是该种电平VIH和VIL各有一个交流参数AC和直流参数DC，信号第一次越过AC门限的时刻，作为时序计算的参考点，此后只要信号保持DC门限内，逻辑状态保持不变，这种设计减小了噪声、振铃等对于信号质量的影响POD电平POD是伪漏极开路电平，其内部端接上拉到VDDQ（LPDDR4x内部端接到VSS），而SSTL内部是上拉到VDDQ/2，分别如图3和图4所示。...
保姆式介绍DDR5(比喻方法讲解)
weixin_43199439的博客
07-31 5797
提升内存带宽：满足多核 CPU 对内存带宽的高需求，确保每个核心能够获得足够的内存资源，以维持其高效能。支持未来的应用：适应数据中心、高性能计算、人工智能和机器学习等领域对内存性能的需求。推动技术进步：推动内存技术的进一步发展，满足更复杂计算任务的需要，确保系统的整体性能和效率。DDR5 的引入为计算机系统提供了更强大的内存支持，有助于提升整体性能，并适应未来技术发展的需求。
DDR内存芯片基础知识
顺其自然~专栏
03-20 1387
DDR的全称为Double Data Rate SDRAM（双倍速率的SDRAM），就是我们平时说的内存颗粒，也就是内存芯片。DDR在原有的SDRAM的基础上改进而来，SDRAM在一个CLK周期传输一次数据，而DDR在一个CLK周期传输两次数据，分别在上升沿和下降沿各传输一次数据。随着技术的发展，DDR经历了多轮技术迭代，发展出了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5，从DDR到DDR5主要的区别是在于传输速率的不同，随着时钟周期的不断降低，传输速率也不断提高。
VBB、VCC、VDD、VEE、VPP 、VSS 的解释
云淡风轻的博客
10-16 3万+
电路设计以及PCB制作中，经常碰见电源符号：VCC、 VDD、VEE、VSS，他们具有什么样的关系那? 　　一、解释 　　VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压 　　VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压; 　　VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压 　　二、说明 　　1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,V
ddr走线教程_最详细的DDR布线教程,看了你豁然“明白”!
weixin_30844865的博客
12-24 3265
信号引脚说明VSS为数字地，VSSQ为信号地，若无特别说明，两者是等效的。VDD为器件内核供电，VDDDQ为器件的DQ和I/O供电，若无特别说明，两者是等效的。对于DRAM来说，定义信号组如下：数字信号组DQ，DQS，xDM，其中每个字节又是内部的一个信道Lane组，如DQ0~DQ7，DQS，LDM为一个信号组。地址信号组：ADDRESS命令信号组：CAS#，RAS#，WE#控制信号组：CS#，C...
DDR3的电源
metersun的专栏
04-02 1万+
以前在DDR 硬件电路设计过程中，关于DDR的电源设计部分存在着不合理的部分，下面简单介绍一下DDR的电源：DDR的电源可以分为三类：（1）主电源VDD和VDDQ主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ 是给IO buffer供电的电源，VDD 是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD 合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压...
DDR电源设计+什么是拉电流什么是灌电流
woshizzai的博客
05-06 8002
一、DDR电源DDR的电源可以分为三类：1.1 主电源VDD和VDDQ，      主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO       buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。      电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等...
vdd和vddq该如何设置
最新发布
03-30
<think>嗯，用户之前问了关于拯救者12900H和海力士DDR5-4800内存时序优化的问题，现在接着问VDD和VDDQ的设置。我需要先回顾之前的对话，确保回答连贯。 用户可能对内存超频有一定了解，但可能不清楚VDD和VDDQ的具体作用和区别。他们可能想了解这两个电压参数如何影响内存稳定性和性能，以及如何正确设置来优化系统。 首先，我需要解释VDD和VDDQ分别是什么。VDD是内存芯片的核心电压，而VDDQ是内存与内存控制器之间的接口电压。两者的协调设置对稳定性和超频潜力很重要。 用户可能想知道设置这两个电压的具体数值，比如安全范围、如何逐步调整，以及注意事项，比如散热和稳定性测试。需要提供实际例子，比如基础设置和进阶调整，以及不同颗粒类型（如海力士A-die/M-die）的建议电压范围。 还要考虑用户可能遇到的常见问题，比如蓝屏或报错，这时候可能需要调整电压或检查散热。同时，要强调稳定性测试的重要性，推荐使用MemTest86、Prime95等工具。 此外，用户可能没有明确说出的是，他们可能在尝试超频时遇到了不稳定问题，或者想进一步压榨内存性能，因此需要指导他们如何平衡电压和温度，避免硬件损坏。 最后，总结最佳实践，比如逐步调整、监控温度、保存BIOS配置等，确保用户操作安全有效。</think>关于DDR5内存的VDD与VDDQ电压设置，需要从物理架构和电气特性两个层面理解其作用机制。以下是具体设置建议： **一、电压定义与功能差异** ```markdown 1. VDD（核心供电电压） - 物理作用：为内存DRAM芯片的逻辑电路供电 - 影响范围：直接影响内存频率上限和主时序稳定性 - 敏感参数：tCL、tRCD、tRP等主要时序 2. VDDQ（I/O接口电压） - 物理作用：驱动内存与CPU内存控制器之间的数据总线 - 影响范围：决定信号完整性和抗干扰能力 - 敏感参数：tRFC、tFAW等二级时序 ``` **二、设置原则与公式** ```math $$V_{DDQ} \geq V_{DD} - 0.05V \quad (安全基线)$$ $$最佳平衡点：V_{DDQ} = V_{DD} + [0.02V \times (\Delta频率/800)] $$ ``` *示例：当DDR5-4800超至5600MHz时，建议VDDQ=VDD+0.02×(800/800)=+0.02V* **三、分场景配置方案** | 场景 | VDD范围 | VDDQ范围 | 适用条件 | |----------------|------------|------------|-------------------------| | JEDEC默认 | 1.1V | 1.1V | 4800MHz CL40原厂预设 | | 基础超频 | 1.20-1.25V | 1.25-1.30V | 海力士M-die 5200MHz CL36 | | 高压超频 | 1.35-1.40V | 1.40-1.45V | A-die 6400MHz CL32需主动散热 | | 极限模式 | ≤1.50V | ≤1.55V | 液氮冷却环境（非日常使用）| **四、实操步骤** 1. **初始设置**（以海力士A-die为例） ```markdown - BIOS路径：Advanced > Voltage Configuration > DRAM Voltage - 阶梯调整： ① 从1.25V/1.30V起步 ② 每次增加0.02V验证稳定性 ③ 达到目标频率后反向微调 ``` 2. **动态补偿设置** ```markdown - Load-Line Calibration：建议Mode3（中等级别补偿） - VDDQ Transient Response：开启"Fast"模式 - SA电压联动：保持VCCSA ≤1.30V（12900H最大值） ``` 3. **温度监控** 使用HWiNFO64监测： ```math $$T_{安全} = 50℃ + (V_{DD}-1.1)/0.1×5℃$$ ``` *示例：1.35V时安全温度=50+(0.25/0.1)×5=62.5℃* **五、异常处理** 当出现错误时，按此优先级调整： 1. 19蓝屏：优先提升VDD 0.02-0.03V 2. 3B/7E蓝屏：增加VDDQ 0.03-0.05V 3. MemTest86报错：同步提升VDD/VDDQ 0.01-0.02V **实测数据参考**（12900H+海力士A-die）： ``` 5600MHz CL32：1.30V/1.33V（温度58℃） 6000MHz CL30：1.35V/1.38V（需加装散热片） 6400MHz CL28：1.42V/1.45V（需风扇直吹） ``` 建议每次电压调整后运行Prime95 Blend模式≥30分钟，并检查AIDA64的"Memory Error Check"计数。最终以实际应用场景（如Adobe渲染或游戏Benchmark）验证长期稳定性。
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