65纳米制程

65纳米制程是半导体制程的一个技術水平。至2007年，英特尔、AMD、IBM、聯華電子、特许半导体和台积电等公司已有能力进行65纳米制程的量產。

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977  1.5 µm – 1981 1 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2003 65 nm – 2005 45 nm – 2007 32 nm – 2009 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020 3 nm – 2022
未來 2 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学

当制程进入65纳米之时，用于进行光刻的光的波长是193纳米和248纳米。具有低于光波波长的制造厂要求使用一些特殊技术，比如光学邻近校正和相位移掩膜板技术。此外，12英寸晶圓在此制程開始成为主流。

具有65纳米制程的产品

• Intel 奔腾4/奔騰D 2006年1月
• Intel 酷睿2(Conroe、Conroe XE、Merom、Kentsfield)
• AMD Athlon 64系列（始于Lima） 2007年2月
• nVIDIA GeForce 8 （部份系列）、GeForce 9（部份系列）、GeForce 100（部份系列）、GeForce 200（2008年6月，部份系列）

参考文献

1. ^  2006 industry roadmap （页面存档备份，存于）, Table 40a

先前 90纳米制程

半导体器件制造制程

其後 45纳米制程

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