PMOS快速关断电路、PMOS加速关断电路

[电源系列]二、低成本MOS快速关断电路原理分析
MOS的减速加速电路设计

分享一个微碧在网上看到的电路情况

加速电路1

PMOS关断时间较长。
当用100kHz的频率驱动PMOS时，PMOS G极的电压信号并不是一个脉冲波，PMOS一直处于线性放大的状态，并且无法关断。

因此需要电路来快速释放G、S间电容的电压来加速关断PMOS：

当V4输出高电平，M1导通，R1和R2分压V3，R8电压加D2压降等于R1电压，R8电压即为PMOS的VGS，PMOS导通。
当V4输出低电平，M1关闭，PMOS的S极电压高于G极，VGS=R1电压+Q1的Vbe，因此Q1导通，VGS电压通过Q1快速释放。

通过上面电路PMOS关断延时没有了，但开通速度还是很慢。引入图腾柱驱动：

当V4输出高电平，M1导通，V3通过R8、Q2的eb、R2到地，因此Q2导通，PMOS的G极接到地，VGS快速充电，最终电压为R1和R2分压V3时R1的电压。

如果是高低电平直接驱动的：

左图在控制端从高电平往低电平切换时，Vbe＜0，Q1关断，放电电流从二极管D流出，Q2开启；右图在控制端从低电平往高电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe＞0.7V，Q1导通，Q1快速将电荷从G极灌入，使G极电平快速上升，达到Q2快速关断的目的。

加速电路3

当PWM输入为高时：
三极管Q6导通，电流通过R14、R18、Q6到GND，V1接近约0.3V，V2为R14、R18的分压。V2通过D2、R17给电容充电，充电完成后电容上的压降约为R18上的电压减去D2压降。Q5的Vbe电压为D2上的电压，Q5截止。

当PWM输入为低时：
三极管Q6截止，由于MOS VGS上由于结电容的存在导致MOS无法快速关断，V1、V2电压相等，V1电压抬升，由于电容上的电压不能突变，D2截止，所以电容上电压通过R17、Q5、R18放电，Q5导通，电压为Q5导通电压，这样就实现了MOS的快速关断。