Malqaq的博客

LM5117太复杂可以用TPS5450。二极管选择，可以选一个也可以选两个并联。一体成型电感排第一，铁硅铝电感排第二。继电器控制开断，记得要做防抖。单片机DAC控制输出电压。

距离取样电阻近就会距离单片机远，那么线上会有寄生电容，这时候在输出端接一个10k电阻到地。反向输入端跟输出端很敏感，有寄生电容就容易震荡。pwm波跟电机频率不要是倍频。运放越靠近取样电阻越好。

因为电机成感性，为了在关断期间给它提供一个续流回路。为什么要在mos管上并一个快恢复二极管。

可以直接连，隔离可以用光耦或者逻辑门。问题九选的mos管Rds·on·太大。最好是RCD缓冲，二极管要用快恢复。肖特基漏电流大，电池供电能省则省。

首先查出NMOS的Qg。

可以通过接一个二极管一个电阻一个电容处理。小的pcb需要做散热处理，加过孔。

上图有自举电容的取值公式，自举电容不能用电解电容，最好使用C0G因为它在不停的充放电。越小 D3要用快恢复或者超快恢复不要用肖特基。C31必须大于10倍C28。

(1)BTN7971B BTN7970 BTN7960 半桥 两片芯片即可驱动一个电机。C1不能用电解电容，要用陶瓷电容，D1不能用肖特基二极管，要用快恢复或超快恢复二极管。(2)HIP4082 全桥 一片芯片+4个MOS驱动一个电机。永磁直流电动机有两个引脚，左边正右边负顺时针转，右边正左边负逆时针转。(3)IR2184 半桥 两片芯片+4个MOS驱动一个电机。(4)IR2104 半桥 两片芯片+4个MOS驱动一个电机。通过控制通断控制直流电机顺时针转逆时针转。用4个Nmos组成了一个H桥。