电子元器件-光耦参数的理解

文章介绍了光耦合器的工作原理,包括线性光耦和逻辑光耦的区别,以及在开关状态和线性状态下的工作特性。重点讨论了电流传输比(CTR)对光耦性能的影响,以及如何根据CTR选择合适的光耦。同时,提到了光耦的延时特性,如导通延时和关断延时,并指出这些参数在高速信号传输中的重要性。

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1.理解光耦的工作原理

光耦是隔离传输器件,原边给定信号,副边回路就会输出经过隔离的信号。

以一个简单的图(图.1)说明光耦的工作:原边输入信号 Vin,施加到原边的发光二极管和 Ri 上产生光耦的输入电流 If,If 驱动发光二极管,使得副边的光敏三极管导通,回路VCC、RL 产生 Ic,Ic 经过 R L 产生 Vout,为了达到传递信号的目的***。原边副边直接的驱动关联是CTR(电流传输比),电路设计要求*要满足 Ic≤IfCTR。
在这里插入图片描述
* 图1

  1. 光耦的用途分类以及工作状态
    光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦 ,(也有人称慢速光耦和快速光耦)

对于工作在开关状态的光耦,当副边三极管饱和导通时,管压降<0.4V,Vout 约等于 Vcc(Vcc-0.4V左右),Vout 大小只受 Vcc 大小影响。此时 Ic受Vcc和RL以及IF,Ri,CTR,Vin的影响。

对于工作在线性状态的光耦,Ic=IfCTR,副边三极管压降的大小等于 Vcc-IcR L ,Vout= IcR L=(Vin-1.6V)/Ri * CTRR L ,Vout 大小直接与 Vin 成比例,一般用于反馈环路里面 (1.6V 是粗略估计的二极管正向压降,实际要按器件资料,后续 1.6V 同) 。

对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。如下图所示。
在这里插入图片描述
所以通过分析实际的电路,除去隔离因素,用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。此方法对于后续分析光耦的 CTR 参数,还有延迟参数都有助于理解。

3 光耦重要参数 CTR

A)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析;B)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时 CTR 有一定余量;C)CTR 受多个因素影响。

3.1 光耦能否可靠导通实际计算

举例分析,例如上图图.1 中的光耦电路,假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦 CTR= 50%,光耦导通时假设二极管压降为 1.6V,副边三极管饱和导通压降 Vce=0.4V。输入信号 Vi 是 5V 的方波,输出 Vcc 是 3.3V。Vout 能得到 3.3V 的方波吗?

我们来算算:If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA 。副边的电流限制:Ic’≤ CTR*If = 1.7mA

假设副边要饱和导通,那么需要 Ic’= (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA,大于电流通道限制,所以导通时,Ic 会被光耦限制到 1.7mA, Vout = Ro*1.7mA = 1.7V。所以副边得到的是 1.7V 的方波。

为什么得不到 3.3V 的方波 ?可以理解为图.1 光耦电路的电流驱动能力小,只能驱动1.7mA 的电流,所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到 1.7mA。

解决措施:增大 If;增大 CTR;减小 Ic。对应措施为:减小 Ri 阻值;更换大 CTR 光耦;增大 Ro 阻值。
将上述参数稍加优化,假设增大 Ri 到 200 欧姆,其他一切条件都不变,Vout 能得到 3.3V的方波吗?
重新计算:If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA;副边电流限制 Ic’≤ CTR*If = 8.5mA,远大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA),所以实际 Ic = 2.9mA。所以,更改 Ri 后,Vout 输出 3.3V 的方波。

开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的最大 Ic 与原边能提供的最小 If 之间 ,Ic/If 的比值与光耦的 CTR 参数做比较,如果 Ic/If ≤CTR,说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量(建议小于 CTR 的 90%)。

工作在线性状态令当别论。

3.2 CTR 受那些因素影响

上一节说到设计时要保证一定 CTR 余量。就是因为 CTR 的大小受众多因素影响,这些因素之中既有导致 CTR 只离散的因素(不同光耦),又有与 CTR 有一致性的参数(壳温/If)。

1)光耦本身:以 8701 为例,CTR 在 Ta=25℃/If=16mA 时,范围是(15%~35%)
说明 8701 这个型号的光耦,不论何时/何地,任何批次里的一个样品,只要在 Ta=25℃/If=16mA 这个条件下,CTR 是一个确定的值,都能确定在 15%~35%以内。 计算导通时,要以下限进行计算,并且保证有余量。计算关断时要以上限。

2)壳温影响:
Ta=25℃条件下的 CTR 下限确定了,但往往产品里面温度范围比较大,比如光耦会工作在(-5~75℃)下,此种情况下 CTR 怎么确定?还是看 8701 的手册:有 Ta-CTR 关系图:
在这里插入图片描述
从图中看出,以 25 度的为基准,在其他条件不变的情况下,-5 度下的 CTR 是 25 度下的 0.9 倍左右,75 度下最小与 25 度下的 CTR 持平。
所以在 16mA/(-5~75℃)条件下,8701 的 CTR 最小值是 15%*0.9 = 13.5%.

  1. 受 If 影响。
    假设如果实际的 If 是 3.4mA,那么如何确定 CTR 在 If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)条件下的最小 CTR 值。
    查看 8701 的 If-CTR 曲线。图中给出了三条曲线,代表抽取了三个样品做测试得到的If-CTR 曲线,实际只需要一个样品的曲线即可。
    在这里插入图片描述
    注:此图容易理解为下限/典型/上限三个曲线,其实不然。大部分图表曲线只是一个相对关系图,不能图中读出绝对的参数值。
    计算:选用最上面一条样品曲线,由图中查出,If=16mA 时 CTR 大概 28%,在 If=3.4mA时 CTR 大概在 46%。3.4mA 是 16mA 时的 46%/28% = 1.64 倍;
    所以,在 If=3.4mA / (-5~75℃),CTR 下限为 13.5% * 1.64 = 22.2%
    以上所有分析都是基于 8701 的,其他光耦的特性曲线需要查用户手册,分析方法一样。

4 光耦延时

上述 CTR 影响到信号能不能传过去的问题,类似于直流特性。下面主要分析光耦的延时特性,即光耦能传送多快信号。
涉 及到 两个参 数: 光耦导通延时 t plh 和 光耦关断 延时 t phl ,以 8701 为例 :在If=16mA/Ic=2mA 时候,关断延时最大 0.8uS,导通延时最大 1.2uS。所以用 8701 传递 500k(2us周期)以上的开关信号就需要而言显然是不能满足的。
在这里插入图片描述
下图是一个实测的延时波形(ch4 原边(红),ch2 副边(绿))
对于 t p 参数的设计更应该考虑余量,因为 t p 参数也受其他因素影响较多。

  1. 受温度影响
    8701 的 Ta-If 特征曲线:温度升高,开关延时都会增大。
    在这里插入图片描述
  2. 受原边 If 大小影响
    8701 的 tp-If 特征曲线:If 增大,关断延时减小,开通延时增大
    在这里插入图片描述
  3. 受副边 Ic 大小影响
    8701 的 tp-R L 特征曲线:R L 减小,导通延时增大明显
    在这里插入图片描述
    针对具体电路的特点,计算最大延时时也是采用与 CTR 一样的方法,通过器件资料给定特定环境下的准确范围,然后逐一通过三个曲线确定具体电路下的光耦最大延时。

注:同一个型号的光耦 CTR/延时特性是一致的,不同光耦的延时特性不尽相同,所以需要根据所用光耦的用户手册来确定。

以上参考于连接:https://www.elecfans.com/d/826506.html

03-08
<think>嗯,用户让我介绍一下光耦,首先我需要明确光耦是什么,它的基本结构和工作原理。光耦全称是光耦合器,也叫做光电耦合器或者光隔离器,对吧?记得它主要是用来隔离电路中的不同部分,防止干扰或者高压损坏敏感元件。那它的组成部分应该包括发光器件和光敏器件,比如发光二极管(LED)和光电晶体管,中间用透明绝缘材料隔开,这样电信号通过光来传输,实现电气隔离。 接下来得解释它的工作原理。当输入端有电流通过时,LED发光,光线被光敏元件接收后转换成电信号输出。这样输入和输出之间没有直接的电气连接,隔离电压应该很高,可能达到几千伏,具体看型号。用户可能想知道为什么需要这种隔离,比如在工业控制中,高压和低压部分需要分开,避免噪声干扰或者保护操作人员安全。 然后要提到光耦的主要特点,比如隔离电压高、响应速度快、体积小、寿命长等。应用领域的话,常见的有电源系统、通信设备、工业控制、医疗仪器等。比如在开关电源中,用光耦来反馈输出电压,保持稳定同时隔离高压和低压侧。 可能用户还想知道光耦的分类,比如根据输出类型不同,有光电晶体管型、光电二极管型、光控可控硅型等。不同的类型适用于不同的场合,比如高速通信可能需要光电二极管型,而控制大电流负载可能需要光控可控硅。 需要注意的问题可能包括电流传输比(CTR)、响应时间、隔离电压等参数的选择,以及使用时的电路设计,比如限流电阻的计算,防止LED过流损坏。此外,温度对光耦性能的影响,比如高温下CTR可能会下降,这也是设计时需要考虑的因素。 用户可能的背景可能是电子工程师、学生或者爱好者,他们可能在设计电路时需要隔离信号,所以需要了解光耦的基本知识、选型和应用注意事项。可能他们遇到了噪声问题,或者需要隔离高压和低压部分,所以想深入了解光耦的工作原理和正确使用方法。 最后要确保用中文回答,结构清晰,分点说明,同时注意LaTeX格式的正确使用,比如公式和参数用$...$包裹,独立公式用$$...$$。避免使用复杂术语,保持解释通俗易懂,但也要准确专业。检查是否有遗漏的重要信息,比如封装形式、典型型号举例,或者常见故障处理,但用户的问题主要是介绍,所以可能不需要太深入这些细节。</think>光耦(光电耦合器)是一种通过光信号实现电信号隔离传输的电子元件,广泛应用于电路隔离、抗干扰和电平转换等场景。以下是详细介绍: --- ### 一、基本结构 光耦由两部分组成: 1. **输入端**:通常为发光二极管(LED),将电信号转换为光信号。 2. **输出端**:光敏元件(如光电晶体管、光电二极管或光控可控硅),将光信号还原为电信号。 3. **隔离层**:透明绝缘材料(如塑料或玻璃)隔离输入与输出端,提供电气隔离。 --- ### 二、工作原理 1. 当输入电流$I_F$流过LED时,LED发光。 2. 输出端的光敏元件接收光信号后导通,产生输出电流$I_C$。 3. 输入与输出之间无电气连接,仅通过光传输信号,隔离电压可达$1000\text{V}-5000\text{V}$。 --- ### 三、主要特性 1. **隔离电压**:输入与输出间的耐压值(例如$2500\text{V}_{rms}$)。 2. **电流传输比(CTR)**:输出电流$I_C$与输入电流$I_F$的比值,典型值为$20\%-600\%$。 3. **响应时间**:从输入变化到输出响应的时间(纳秒至微秒级)。 4. **带宽**:支持信号传输的最高频率(例如$1\text{MHz}$)。 --- ### 四、常见类型 | 类型 | 特点 | 应用场景 | |--------------------|--------------------------------|-----------------------| | 光电晶体管型 | 成本低、速度较慢 | 普通开关、隔离 | | 高速光电二极管型 | 响应快(纳秒级)、低噪声 | 通信、高速信号隔离 | | 光控可控硅型 | 可直接驱动交流负载 | 固态继电器、电机控制 | | 线性光耦 | 输出与输入成线性关系 | 模拟信号隔离 | --- ### 五、典型应用 1. **电路隔离**:隔离数字与模拟电路,防止地线噪声。 2. **电平转换**:连接不同电压的电路(如5V单片机控制12V设备)。 3. **开关电源反馈**:在反激式电源中传递输出电压反馈信号。 4. **工业控制**:PLC输入/输出隔离,防止高压冲击。 --- ### 六、使用注意事项 1. **输入电流限制**:需串联限流电阻$R_{limit}$,计算公式: $$ R_{limit} = \frac{V_{in} - V_F}{I_F} $$ 其中$V_F$为LED正向压降(通常$1.2\text{V}$)。 2. **CTR衰减**:长期使用后CTR可能下降,设计时需预留余量。 3. **温度影响**:高温会降低CTR和响应速度。 --- ### 七、选型关键参数 1. 隔离电压需求 2. 输入电流范围(例如$I_F=5-20\text{mA}$) 3. 输出类型(晶体管/可控硅/逻辑门输出) 4. 响应速度(如低速开关选PC817,高速选6N137) --- **示例电路**:光耦控制继电器 ``` 单片机GPIO → 限流电阻 → 光耦LED端 光耦输出端 → 驱动三极管 → 继电器线圈 ``` 此电路实现低压单片机安全控制高压继电器。
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