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RSS订阅原创 简记_单片机硬件最小系统设计
接参考电源（典型值2.5V）芯片输出（去耦： 1x 1u + 1 x 100n），或经电阻（47R）接至VDDA；见图19，HSE范围4~26MHz，优点：主时钟精度高，CL1、CL2：5pF~25pF，CL1=CL2，Rs 为 晶振参数。上电复位 (POR) 1.74V，掉电复位 (PDR) 1.7V，欠压复位 （BOR），特别注意PDR_ON，使能内部复位。外部电路复位，内部：窗口看门狗，独立看门狗，电源复位，软件复位，低功耗管理复位。晶振的CL，Rext。
2025-03-25 23:59:25
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原创 简记_FPGA 硬件最小系统设计
一般为固定值FPGA的IO分为多个bank，同一个bank的不同IO引脚电压相同，不同bank的电压可以不同除了核心电压和IO电压，FPGA工作所需的其他电压都叫辅助电压，例如：模拟电压，Phase-locked loop，锁相环 (PLL) 需要模拟电源。
2025-03-24 22:57:35
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原创 简记_运算放大器与比较器的区别
线性工作区：通常工作在放大状态，输入信号与输出信号之间存在线性关系。增益由外部电路（如反馈电阻）决定。增益：具有高开环增益（通常在10⁵以上），但实际应用中通常通过反馈网络将其工作在闭环状态。非线性工作区：通常工作在饱和状态，即输出电压接近电源电压（Vcc或GND）。当一个输入信号大于另一个输入信号时，输出跳变到高电平或低电平。增益：比较器的增益非常高，通常不需要外部反馈网络。，因其内部无相位补偿电路)，运放慢(us级)。(不稳定)，因其内部无相位补偿电路。转换速率更快，延时更短。无相位补偿、频率补偿。
2025-03-10 18:02:37
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原创 简记_比较器参数详解
输入电压范围；Vos、Ib、Ios；单端电压输入范围是指比较器能够正常工作的输入电压范围（﹢xx该参数决定了比较器在不同输入电压下的工作能力。指的是两个输入端之间可承受的最大电压差(±xx)，超出此范围可能会损坏器件。失调电压是指在输入电压差为零时，比较器输出不为零的电压值。理想情况下，输入电压差为零时，输出也应为零，但由于制造工艺和环境因素的影响，实际比较器存在失调电压。输入偏置电流是指流入比较器输入端的平均电流。
2025-03-10 12:17:52
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原创 简记_运算放大器的参数详解
输入电压范围（Vcm）定义：运放输入端可以承受的共模电压范围。意义：超过该范围可能导致运放工作异常。典型值：从几伏到电源电压范围。输出电压摆幅（Vosw）定义：运放输出端能够达到的最大电压范围。意义：反映运放的输出能力，Vosw越接近电源电压，性能越好。典型值：从几伏到接近电源电压。
2025-03-10 10:54:51
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原创 简记_ MCU管脚的防静电处理
可得最大带宽约为：0.35/0.7ns=0.5Ghz=500MHz。，ESD 波形具有 0.7~1ns 的上升沿，通过上升沿跟最大带宽的计算公式。ESD 的频谱是宽带的（指的是各种频率分量都有），频率范围大概是。继电器实现这两个“开关”，并且还会感应出一些额外的RLC寄生。接口处的信号要先过 ESD/TVS 管，然后拉到被保护器件；PCB设计时，其他电路应远离静电（衰减、吸收之前）的电路。管（时变电阻模型）承受的功率（电压）压力就越小，推荐。产生的另一个问题是，其关联的。，可能会有较好的效果。
2025-03-08 20:28:00
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原创 简记_开关电源的控制方式简介
输出的两个分压电阻出来做采样信号，然后通过一 个补偿器和精准源的比较，再把输出的误差信号和一个 Ramp(三角波比较，得到固定周期的脉冲。优点缺点1.中等和重负载条件下可实现良好的效率；1.效率在轻负载条件下显著下降，开关频率固定，则开关损耗相对固定；2.开关频率由PWM斜坡信号频率设定；2.快速瞬态响应和高稳定性需要好的补偿网络设计。
2025-03-08 12:46:06
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原创 简记_开关电源基础知识(一)
Regulator，开关稳压器、调节器、稳压源。为实现稳压，需控制系统闭环负反馈，控制方式有：PWM（调脉宽）、PFM（调频）、移相。
2025-03-07 10:10:55
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原创 简记_硬件系统设计之需求分析要点
CCC认证（中国强制性产品认证）、CQC、CE认证（欧洲共同体认证）、UL认证（美国保险商实验室认证）、RoHS认证（限制有害物质使用认证）、ISO 9001认证、能效认证、安全功能（STO等）、CSA认证（Canadian Standards Association）加拿大。：数字量、模拟量、传感器信号（IIC、SPI、RS-422、RS-485、Biss）等；室外暴露、紫外实验、盐雾实验、高温高湿、热斑耐久实验等。：数字量、模拟量、驱动执行机构、指示与显示等;引线端强度实验、扭曲实验、机械载荷实验等。
2025-03-06 21:19:31
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原创 简记_如何设计好功率MOSFET的驱动电路
驱动芯片的Ipk，MOSFET的开关参数测定电阻，栅极振荡，Id\Vds过冲，EMI,短路电流/Vds。上桥臂需浮地驱动电路、需考虑自举电路。过载保护、欠压锁定（UVLO）、短路保护、过温保护。16K 62.5us 开关时间300ns*2。驱动电压越高，导通电阻越小，但短路电流越大。栅极和源极之间添加一个下拉电阻。以防止弥勒效应产生的误导通。最小化驱动回路的环路面积。Vgs，Vds、Id波形。靠近MOSFET放置。驱动IC需低阻抗电源。测试短路保护等功能，
2025-03-06 21:02:45
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原创 简记_MOSFET的关键参数解读
N沟道 P沟道。结型（JFET）、绝缘栅型（MOSFET）；MOSFET：耗尽型、增强型；平面栅（结构简单，可靠）、沟槽栅（Trench）（Rds-on小，电流密度高）开通阀值 60V及以下1~2V，100V及以上2~4V，弥勒平台电压5~7V；电容：输入电容、输出电容、反向传输电容（弥勒电容）；开通阀值电压、Qg、开关时间（开通延迟 上升 关断延迟 下降）；电压：Vds、Vgs；Tvj、封装、热阻、最大耗散功率。
2025-03-06 20:57:45
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原创 简记_如何设计好IGBT的驱动电路
驱动芯片的Ipk，IGBT的开关特性测定电阻，栅极振荡，Ic\Vce过冲，EMI（C.dV/dt）,短路电流/Vds。过载保护、欠压闭锁（UVLO）、短路保护、过温保护、最小脉冲抑制、死区、半桥互锁。驱动电压越高，导通电阻越小，但短路电流越大。8K 125us 开关时间750ns*2。以防止弥勒效应产生的误导通。栅极和源极之间添加一个下拉电阻。测试短路保护等功能，短路时的。Vce，Vge、Ic波形。靠近MOSFET放置。驱动IC需低阻抗电源。Ciss*100倍。
2025-03-06 20:42:37
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1原创 简记_Altium Designer 自定义原理图模板
若您做为硬件工程师，往往需要制定原理图模板，以便于规范原理图的绘制 。下文将是对这项工作，Altium Designer 自定义原理图模板 软件操作的一个较详细阐述。
2022-09-24 22:28:52
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原创 简记_Altium Designer 快速创建（多管脚器件）原理图符号
Altium Designer 快速创建（多管脚器件）原理图符号的方法，能极大的提高绘制复杂（多管脚器件）原理图符号的效率。
2022-01-19 12:32:47
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原创 简记_改进低值分流电阻的焊盘，提高精度
本文参考ADI模拟对话文章《改进低值分流电阻的焊盘布局，优化高电流检测精度》，文中阐述的方法，具有一定的工程意义，可供参考。
2021-12-25 15:13:57
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原创 简记_原理图器件参数标注简化规范（部分）
原理图中器件参数如何标注，不同的工程师有不同的风格。最怕没有风格，乱标注，导致做BOM表时出现各种问题、可读性也很差、关键参数不详也不利于校对及评审。 本文根据个人经验，总结电阻、电容两个大类的器件参数标注简化规范，具有一定参考意义。
2021-12-23 17:27:41
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