2、二维材料非易失性电阻式存储器与射频开关的研究进展

二维材料非易失性电阻式存储器与射频开关的研究进展

1 器件制备方法

1.1 交叉杆结构（Crossbar）

交叉杆结构的制备流程较为复杂，具体步骤如下：
1. 底部电极（BE）制备 ：通过电子束光刻（EBL）对SiO₂/Si（285 nm）衬底进行图案化，然后沉积2 nm Cr（作为粘附层）和60 nm Au金属叠层。
2. 单层过渡金属二硫属化物（TMD）转移 ：采用聚二甲基硅氧烷（PDMS）印章转移法将单层TMD转移到制备好的衬底上。具体过程为：使单层TMD与PDMS贴合，将衬底 - TMD - PDMS系统浸泡在去离子水中，利用SiO₂衬底的亲水性，让水扩散到TMD与衬底的界面，从而分离两层。接着将PDMS - TMD膜与目标衬底接触，剥去PDMS印章，使单层TMD留在目标衬底上。
3. 化学气相沉积（CVD）六方氮化硼（h - BN）转移 ：使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助的湿法转移法将CVD h - BN从Ni箔衬底转移到BE上。先在h - BN/Ni上旋涂一层薄的PMMA，然后在0.5 M过硫酸铵溶液中蚀刻掉Ni。在去离子水中冲洗PMMA/h - BN以去除蚀刻副产物，再用带有BE的目标衬底抬起。最后将其浸入丙酮中去除PMMA。
4. 顶部电极（TE）制备 ：采用与BE相同的制备工艺进行图案化和沉积。

1.2 无光刻和无转移结构（Litho - free and transfer - free）

这种结构的制备相对简单，单层MoS₂和h - BN直