MOS输入电子很高，为什么一遇到静电就不行了？

在电子领域，MOS 管是一种常用的器件，但其在静电环境下较为脆弱，同时栅源下拉电阻也有着重要作用。下面为您详细解析。

一、MOS 管为何易受静电影响

MOS 管属于 ESD 敏感器件，它的输入电阻极高，而栅 - 源极间电容却极小。这一特性使得它极易受外界电磁场或静电感应而带电。在静电较强的环境中，电荷难以泄放，从而容易引发静电击穿。

静电击穿主要有两种类型。电压型击穿，是指栅极的薄氧化层被击穿，形成针孔，导致栅极与源极或栅极与漏极短路；功率型击穿，则是金属化薄膜铝条熔断，造成栅极或源极开路。

二、MOS 管被击穿的原因及应对方案

一方面，由于 MOS 管输入电阻高、栅源极间电容小，少量电荷就能在极间电容上形成高电压（U = Q/C），进而损坏管子。尽管 MOS 输入端有抗静电保护措施，但在实际操作中仍需格外小心。在存储和运输时，最好使用金属容器或导电材料进行包装，避免放置在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。在组装、调试过程中，工具、仪表、工作台等都要良好接地。操作人员应避免穿着尼龙、化纤衣服，手或工具接触集成块前先接地。对器件引线进行矫直弯曲或人工焊接时，所用设备也必须接地良好。

另一方面，MOS 电路输入端的保护二极管导通时电流容限一般为 1mA。当可能出现超过 10mA 的过大瞬态输入电流时，应串接输入保护电阻。在应用中，可选择内部有保护电阻的 MOS 管。另外，由于保护电路吸收瞬间能量有限，过大的瞬间信号和过高的静电电压会使保护电路失效。因此，焊接时电烙铁要可靠接地，防止漏电击穿器件输入端。一般操作时，可断电后利用电烙铁余热焊接，并先焊接地管脚。

三、MOS 栅源极下拉电阻的作用

MOS 管作为电压驱动元件，对电压极为敏感。悬空的栅极（G）很容易受到外部干扰而使 MOS 导通，外部干扰信号会对 G - S 结电容充电，且这个微小电荷能长时间储存。在实验中，G 极悬空存在很大风险，容易导致爆管。

在 G 极与地之间接入一个 10 - 20K 的下拉电阻，即栅极电阻。它有两个重要作用：一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用，保护栅极 G - 源极 S。由于场效应管 G - S 极间电阻很大，少量静电就能在等效电容两端产生高电压。若不及时泻放静电，高压可能使场效应管误动作甚至击穿 G - S 极。而栅极与源极间的电阻能将静电泻放掉，从而保护场效应管。