WINBOND/华邦 W9825G6KH-6I SDRAM,256Mb(32MB,16Mbx16),3.3v 动态随机存取存储器

最新推荐文章于 2025-03-06 12:59:43 发布

宏源世纪-niki

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文章标签： 5G 单片机嵌入式硬件

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本文详细介绍了W9825G6KHSDRAM，包括其400万字×4银行×16位的组织结构、高达200MHz的时钟频率、多种工作模式如自刷新和突发读写等特性，以及LVTTL接口和环保封装。这种存储器适用于高性能计算机应用。

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1.概述
W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为400万字 4个银行 16位。W9825G6KH提供高达200M字/秒的数据带宽第二为了完全符合个人计算机行业标准，W9825G6KH被分类为以下速度等级：-5、-5I、-6、-6I、-6L、-75和75L。-5/-5I级零件符合
200MHz/CL3规格（-5I工业级，保证支持-40°C≤TA≤85°C）。-6/-6I/-6L级零件符合166MHz/CL3规范（-6I工业级保证支持-40°C≤TA≤85°C）。-75/75L符合133MHz/CL3规格6L和75L部件支持自刷新电流IDD6，最大1.5毫安。对SDRAM的访问是面向突发的。一页中的连续内存位置可以是当ACTIVE选择一个存储体和行时，以1、2、4、8或整页的突发长度访问命令列地址由SDRAM内部计数器以突发方式自动生成活动通过在每个时钟周期提供其地址，随机列读取也是可能的。这个
多个存储体的性质使得内部存储体之间能够交错以隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器，
以使其性能最大化。W9825G6KH是主存储器的理想选择高性能应用程序。

2.特点
 3.3V±0.3V电源
 高达200 MHz的时钟频率
 4194304字 4个银行 16位组织
 自刷新模式：标准和低功耗
 CAS延迟：2和3
 突发长度：1、2、4、8和整页
 突发读取、单次写入模式
 字节数据由LDQM、UDQM控制
 断电模式
 自动预充电和受控预充电
 8K刷新周期/64毫秒
 接口：LVTTL
 采用TSOP II 54引脚封装，400密耳-0.80，使用符合RoHS的无铅材料