1 特性
• 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1(高达 150°C TJ)和 LM5050Q1MK-1(高达 125°C TJ)
• 提供功能安全 – 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
• 宽工作输入电压范围 VIN:1V 至 75V(VIN < 5V 时 需要 VBIAS)
• 100V 瞬态电压
• 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
• 针对电流反向 50ns 快速响应
• 2A 峰值栅极关断电流
• 超小 VDS 关断电压,可缩短关断时间
• 封装:SOT-6(薄型 SOT-23-6)
2 应用
冗余 (N+1) 电源的有源 OR-ing
3 说明
LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电 源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压 降。 LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速 响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时 关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电 源,可承受高达100V 的瞬态电压。