WINBOND/华邦 W25N01GVZEIG 3V 1G-位 串行SLC NAND闪存,具有双/四通道 SPI 缓冲区读取和连续读取

1. -般说明
W25N01GV (1G位)串行SLC NAND闪存为以下系统提供存储解决方案有限的空间、引脚和电源。W25N SpiFlash系列集成了流行的SPI接口和传统的大型NAND非易失性存储器空间。它们非常适台将代码重影到RAM,执行直接从双/四通道SPI (XIP) 编码并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源,功耗低至25mA.待机电流低至10μA。所有W25N
SpiFlash系列器件采用节省空间的封装,这在过去是无法使用的典型的NAND闪存。


W25N01GV 1G位存储器阵列被组织成65,536个可编程页,每个页的2,048字节。可以使用来自2,048字节内部缓冲区的数据对整个页面进行一-次编程。页面可以以64个为- -组进行擦除(128KB 块擦除)。W25N01GV有 1,024个可擦除块。
W25N01GV支持标准串行外设接口(SPI) 、双通道/四通道I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据1/00 (DI) . I/01 (DO) . 1/O2 (/WP) 和1/O3 (/H0LD) 。SPI 时钟频率高达支持104MHz,双通道I/O和416MHz的等效时钟速率为208MHz (104MHz x 2)(104MHzx4)用于使用快速读取双/四通道I/O指令时的四通道I/0。该W25N01GV提供了一-种新的连续读取模式。允许高效访问整个具有单个Read命令的内存数组。此功能非常适合代码重影应用程序。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活性。此外,该器件还支持JEDEC标准制造商和设备ID, - 一个2,048字节的唯一ID页、1个2,048字节参数页和10个2,048字节OTP页。提供更好的NAND闪存内存可管理性、用户可配置的内部ECC、坏块管理也可用于W25N01GV.


2.特点
●全新W25N系列SpiFlash存储器
●具有128KB块的灵活架构
- W25N01GV: 1G位/128M字节
-统一的128K字节块擦除
. -标准SPI: CLK、 /CS. DI. DO、/WP、
-灵活的页面数据加载方法
/拿
.高级功能
双SPI

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