1.概述
W25N01GV(1G位)串行SLC NAND闪存为具有有限的空间、引脚和电源。W25N SpiFlash系列融合了流行的SPI接口和传统的大NAND非易失性存储器空间。它们非常适合将代码隐藏到RAM,执行直接来自双/四路SPI(XIP)的代码,并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源,有源功耗低至25mA,备用功耗低至10µA。所有W25NSpiFlash系列设备采用节省空间的封装,这在过去是不可能使用的典型的NAND闪存。
W25N01GV 1G位存储器阵列被组织成65536个可编程页,每个可编程页2048字节。使用来自2048字节内部缓冲器的数据,可以一次对整个页面进行编程。页可以以64个为一组来擦(128KB块擦除)。W25N01GV具有1024个可擦除块。
W25N01GV支持标准串行外设接口(SPI)、双/四路I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(DI)、I/O 1(DO)、I/O 2(/WP)和I/O 3(/HOLD)。SPI时钟频率高达支持104MHz,允许双I/O和416MHz的等效时钟速率为208MHz(104MHz x 2)使用快速读取双/四路I/O指令时,用于四路I/O的(104MHz x 4)。
W25N01GV提供了一种新的连续读取模式,可以有效地访问整个具有单个读取命令的内存阵列。此功能非常适合代码隐藏应用程序。保持引脚、写入保护引脚和可编程写入保护,提供了进一步的控制灵活性。此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID,一个2048字节的唯一ID页面、一个2048字节参数页面和十个2048字节OTP页面。提供更好的NAND闪存内存可管理性、用户可配置的内部ECC、坏块
WINBOND/华邦 W25N01GVZEIG 3V 1G-位 串行SLC NAND闪存,具有双/四通道 SPI 缓冲区读取和连续读取
最新推荐文章于 2024-09-06 23:02:12 发布