NOR/NAND FLASH对比

1、共同点：

a、非易失性存储，掉电保存。
b、数据擦除都必须以**块（Block）**为单位，而不能逐字节擦除。

2、差异

a、NOR 门 逻辑，直接寻址，每个字节可单独访问（随机访问）； 基于 NAND 门 逻辑，按 块/页 读写 （按页访问）
b、按 字节 写入； 按 页 写入
c、读取速度快，可直接执行代码；读取速度 较慢
d、存储密度低，价格高； 存储密度高，价格低
e、容量为MB级别；容量为GB和TB级别