《炬丰科技-半导体工艺》TSV芯片中超临界二氧化碳电镀铜参数的研究

最新推荐文章于 2025-12-20 22:00:32 发布

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#stm32 #机器学习 #big data

该研究探讨了超临界二氧化碳电镀铜在TSV芯片中的参数影响，如超临界压力和电镀电流密度，对比了传统电镀技术。实验表明，2000磅/平方英寸的压力和3安DM²的电流密度下，能得到最佳的填充和密封性，同时能承受10安的高电流。研究证明超临界电镀工艺在3D集成电路中的潜力。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：TSV芯片中超临界二氧化碳电镀铜参数的研究

编号：JFKJ-21-766

作者：炬丰科技

关键词:超临界二氧化碳，电镀铜，TSV，密封

摘要

本研究使用超临界电镀来填充芯片中的硅通孔。本研究利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP RIE)工艺技术刻蚀硅通孔，讨论了不同的超临界CO2电镀参数，如超临界压力、电镀电流密度对TSV铜柱填充时间、伏安曲线、电阻和气密性的影响。此外，上述所有测试的结果都与传统电镀技术的结果进行了比较。对于测试，我们将首先讨论TSV铜柱的密封性，使用氦泄漏测试设备来评估制造的

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