《炬丰科技-半导体工艺》单晶片工具上的铝清洗

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本文详细探讨了铝在不同浓度的氢氟酸水溶液中的溶解特性，特别是在具有氧气控制的单晶片工具上的实验。研究涵盖了不同种类的酸，包括矿物酸和有机酸，如硫酸、氢氟酸、草酸和乙醇酸。实验结果显示，铝在稀释的HF中的溶解受浓度和氧气水平的影响，这对于理解半导体制造中的互连清洗过程至关重要。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶片工具上的铝清洗

编号：JFKJ-21-386

作者：炬丰科技

互连演变与技术

互连的主要化学品

 

铜互连的水溶液

 

铝在酸性水溶液中的溶解

4 种酸比较：

矿物酸： 硫酸（H2苏4 ), 氢氟酸 (HF)

有机酸： 草酸 / 乙醇酸


铝在稀释的 HF (AlCu0.5) 中的溶解

氢氟酸：HF 0.2% & HF0.025% (在具有 [O2] 控制的单晶片工具上测量）

铝溶解在稀释的 HF (AlCu0.5 )

氢氟酸：HF 0.2% & HF0.025% (在具有 [O2] 控制的单晶片工具上测量）

水溶液中的铝电位-pH图

 

 

 

 

 

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