《炬丰科技-半导体工艺》 超临界二氧化碳清洗晶圆工艺

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本文探讨了超临界二氧化碳（SCCO2）在半导体制造中的应用，包括光刻胶剥离、低 k 膜恢复、铜表面清洁以及纳米机电系统（NEMS）中二氧化硅蚀刻。SCCO2 的溶剂化特性和快速扩散能力使其成为高效且环保的清洗解决方案。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超临界二氧化碳清洗晶圆工艺

编号：JFKJ-21-414

作者：炬丰科技

关键词： 超临界 CO2、光刻胶剥离、NEMS、二氧化硅蚀刻

介绍

  随着半导体器件不断缩小并变得更快，将需要新的材料和工艺来实现这一进步。

  已经提出基于超临界 CO2 (SCCO2) 的技术用于器件制造的各个步骤，例如清洁和沉积。SCCO2 扩散迅速、粘度低、表面张力接近于气体，因此可以轻松渗透到深沟槽和通孔中。它还可以在没有图案塌陷或粘滞的情况下进行清洁。SCCO2 具有液体的溶剂化特性，因此可以溶解醇类和氟化烃等化学物质，形成均质的超临界流体溶液。

  已经研究了基于 SCCO2 的工艺，因为它具有剥离光刻胶残留物的潜力（由于它与低 k 材料的兼容性）并且因为它可以恢复低 k 材料的 k 值以进行 Cu/低 k 集成在生产线的后端 (BEOL)。SCCO2 在超低 k 材料加工中的应用是一项

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3HAC021351-003_rev05.pdf
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ABB工业机器人手册
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