《炬丰科技-半导体工艺》GaN在多孔硅衬底上的MOCVD生长

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN在多孔硅衬底上的MOCVD生长

编号：JFKJ-21-641

作者：炬丰科技

摘要

利用金属有机化学气相沉积法在多孔硅(PSi)衬底上成功生长了单晶氮化镓薄膜。PSi衬底上氮化镓薄膜的非对称摇摆曲线的半峰全宽(FWHM)比普通平面硅衬底上的氮化镓薄膜窄，而对称薄膜的FWHM宽。与平面硅上的氮化镓薄膜相比，晶圆弯曲程度减小，氮化镓的带边发射增强。此外，薄膜中的拉伸应力显著降低。

介绍

氮化镓和相关材料已经被研究用于可见光和紫外线范围的光电子器件以及高功率、高频电子器件。由于没有大面积的原生衬底，氮化镓基器件通常生长在蓝宝石或碳化硅等外来衬底上。另一方面，人们对在硅衬底上生长氮化镓以制造发光二极管和氮化镓/氮化镓高电子迁移率晶体管很感兴趣。与蓝宝石和碳化硅相比，硅衬底具有成本低、面积大、热导率合理等优点。我们报道了需要具有高热稳定性的中间层来防止回熔蚀