process corner工艺角

本文详细介绍了MOSFETs在不同晶片和批次间参数变化的原因,阐述了通过设定工艺角来控制参数变化的重要性。同时,深入探讨了5-corner模型的五个性能范围,包括TT、FF、SS、FS、SF,以及这些性能范围如何影响晶体管的饱和电流、阈值电压和运行速度。

不同的晶片和不同的批次之间,MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度,需要将器件性能限制在某个范围内,并报废超出这个范围的芯片,来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。[1]

5-corner model:

5-corner model有5个corners:TT,FF,SS,FS,SF。前后两个字符分别对应NMOS和PMOS。其中TT是指typical corner。Typical表示晶体管饱和电流的平均值。单一器件所测的结果是呈正态分布的。均值为TT,最小最大限制为SS和FF。饱和电流(Isat)大的器件,阈值电压小(LVT),运行速度快(F)。饱和电流(Isat)小的器件,阈值电压大(HVT),运行速度慢(S)。

不同的工艺不同的device对应的sigma值不同。如果NMOS和PMOS的性能与Typical的偏差在3sigma时,也能满足设计需求,则此corner芯片为3SS或者3FF corner 芯片。

 

 

[1]https://wenku.baidu.com/view/bcbe0efa941ea76e58fa044c.html

 

 

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