MOS管的宽长比W/L该以什么顺序去调节

宽长比是MOS管的宽度和长度之比，宽长比越大，MOS管的漏电流Id越大，漏电流Id和宽长比成正比。一般先规定支路的电流Id，通过过驱动电压确定vgs，确定电路的W/L，通过vgs再调整vds的大小。

Allen在讲op的时候有讲op的设计思路，一般分为以下几个步骤：

1，选工艺，
2，分配电流
3，根据电源电压，分配vgs
4、vgs分配好的话，w/l也就知道了
5、静态工作点仿真，微调
6、ac仿真
7、trans仿真
8、psr，cmrr，dc-scan等杂七杂八的仿真

平时我们在调电路的时候，想将管子调到饱和区，不建议利用漏电流Id=f(W/L , Vgs-Vth)公式进行计算，因为id的公式只适用于L=4um的管子。建议使用gm/id的方式来设置宽长比，这样设置的漏电流仿真出来十分精确。

关于调节管子的顺序，通常没有一个从上到下，或者从下到上的顺序，建议可以从电流源节点的位置开始调。

一些业内顶尖的设计师曾经说：相同的指标让10个不同的设计师来设计，也许性能都可以满足指标的要求，但w/l通常不一样，这也许就是模拟电路设计的魅力所在，因为它没有标准答案。

首先要关注用在什么地方，有什么样的性能指标，为什么需要这样的性能指标。

宽度w通常从gm/id、带宽bandwidth、增益gain三个方面考虑

长度L通常从失配mismatch、静态过驱动电压vdsat、电流精确度current accuracy、放大器输入失调op input offset、增益gain这几个方面考虑

具体通过增益Av确定宽长比，通过偏置电压确定偏置宽长比，根据压摆率、带宽进行折衷......多看好的论文自行体会。

在看论文的基础上，尝试着把电路用晶体管的方式实现出来，自己去设定每一个w/l，通过仿真验证，甚至流片来验证自己的设计是不是符合设计指标，及应用环境，如果结果是好的，那么恭喜所选择的w/l是没有问题的。

mos管的开关速度和宽长比的关系

当mos管用做开关时，宽长比越大，切换速度是越快还是越慢呢?

当开关管的宽长比从小变到大时，先是导通电阻主要影响切换速度，寄生电容影响不大。导通电阻随宽长比的增大而减小，切换速度也越来越快。

然后到了一个阈值后，导通电阻不随宽长比的增大而减小了，寄生电容开始影响切换速度，随着宽长比的增大寄生电容增大，切换速度就变慢了