相同的MOS管进行并联或者串联,它们等价的MOS管与原MOS管在宽长比上有什么联系与区别?

本文分析了相同MOS管在串联和并联时,其等价MOS管与原MOS管在宽长比上的联系和区别。结论指出,MOS管串联时等价宽长比为两者宽长比的乘积倒数,而并联时等价宽长比为两者宽长比之和。

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一、问题描述

相同的MOS管进行并联或者串联,它们等价的MOS管与原MOS管在宽长比上有什么联系与区别?

二、问题分析

首先考虑MOS管M1和M2串联的情况,如图1所示。因M1和M2是相同的MOS管,所以他们的阈值电压 V T V_{T} VT相同。

图1 MOS管M1和M2串联

图1 MOS管M1和M2串联

若M1处于导通状态,则

V G − V X − V T > 0 V_{G} - V_{X} - V_{T} > 0 VGVXVT>0

V G − V T > V X # ( 1 ) \begin{matrix} V_{G} - V_{T} > V_{X}\#\left( 1 \right) \\ \end{matrix} VGVT>VX#(1)

对于M2而言,若处于饱和状态,则

V G − V S − V T < V X − V S V_{G} - V_{S} - V_{T} < V_{X} - V_{S} VGVSVT<VXVS

V G − V T < V X # ( 2 ) \begin{matrix} V_{G} - V_{T} < V_{X}\#\left( 2 \right) \\ \end{matrix} VGVT<VX#(2)

综上可以发现公式(1)和公式(2)矛盾。因此,在M1导通的状态下,M2不可能处于饱和状态。

第一种情况:

M1和M2都处于线性区,则等效的MOS管M处于线性区。流过M1的漏源电流表示为

I D S 1 = 1 2 μ n C ox ( W L ) 1 [ 2 ( V G − V X − V T ) ( V D − V X ) − ( V D − V X ) 2 ] I_{DS1} = \frac{1}{2}\mu_{n}C_{\text{ox}}\left( \frac{W}{L} \right)_{1}\left\lbrack 2\left( V_{G} - V_{X} - V_{T} \right)\left( V_{D} - V_{X} \right) - \left( V_{D} - V_{X} \right)^{2} \right\rbrack IDS1=21μnCox(LW)1[2(VGVXVT)(VDVX)(VDVX)2]

对上式进行变形得

I D S 1 = 1 2 μ n C ox ( W L ) 1 [ 2 ( V G − V X − V T ) − ( V D − V X ) ] ( V D − V X ) I_{DS1} = \frac{1}{2}\mu_{n}C_{\text{ox}}\left( \frac{W}{L} \right)_{1}\left\lbrack 2\left( V_{G} - V_{X} - V_{T} \right) - \left( V_{D} - V_{X} \right) \right\rbrack\left( V_{D} - V_{X} \right) IDS1=21μnCox(LW)1[2(VGVXVT)(VDVX)](VDVX)

  = 1 2 μ n C ox ( W L ) 1 [ 2 ( V G − V T ) − ( V D + V X ) ] ( V D − V X ) \ =\frac{1}{2}\mu_{n}C_{\text{ox}}\left( \frac{W}{L} \right)_{1}\left\lbrack 2\left( V_{G} - V_{T} \right) - \left( V_{D} + V_{X} \right) \right\rbrack\left( V_{D} - V_{X} \right)  =21μnCox(LW)1[2(VGVT)(VD+VX)](VDVX)

V G − V T V_{G} - V_{T} VGVT作为整体考虑,可以得到

I D S 1 =   1 2 μ n C ox ( W L ) 1 [ ( V G − V T − V X ) + ( V G − V T − V D ) ] [ ( V G − V T − V X ) − ( V G − V T − V D ) ]    I_{DS1} = \ \frac{1}{2}\mu_{n}C_{\text{ox}}\left( \frac{W}{L} \right)_{1}\left\lbrack \left( V_{G} - V_{T} - V_{X} \right) + \left( {V_{G} - V_{T} - V}_{D} \right) \right\rbrack\left\lbrack \left( V_{G} - V_{T} - V_{X} \right) - \left( {V_{G} - V_{T} - V}_{D} \right) \right\rbrack\text{\ \ } IDS1= 21μnCox(LW)1[(VGVTVX)+(VGVTVD)][(VGVTVX)(VGVTVD)]  

化简则有

I D S 1   =   1 2 μ n C ox ( W L ) 1 [ ( V G − V T − V X ) 2 − ( V G − V T − V D ) 2 ] # ( 3 ) \begin{matrix} I_{DS1}\ = \ \frac{1}{2}\mu_{n}C_{\text{ox}}\left( \frac{W}{L} \right)_{1}\left\lbrack \left( V_{G} - V_{T} - V_{X} \right)^{2} - \left( V_{G} - V_{T} - V_{D} \right)^{2} \right\rbrack\#\left( 3 \right) \\ \end{matrix} IDS1 = 21μnCox(LW)1[(VGVTVX)2(VGVTVD)2]#(3)

同理可以得到

I D S 2 = 1 2 μ n C ox ( W L ) 2 [ 2 ( V G − V S − V T ) ( V X − V S ) − ( V X − V S ) 2 ] I_{DS2} = \frac{1}{2}\mu_{n}C_{\text{ox}}\left( \frac{W}{L} \right)_{2}\left\lbrack 2\left( V_{G} - V_{S} - V_{T} \right)\left( V_{X} - V_{S} \right) - \left( V_{X} - V_{S} \right)^{2} \right\rbrack IDS2=21μnCox(LW)2[2(VGVSVT)(V

### MOS串联电路应用 #### 1. **MOS串联的工作理** 当多个MOS串联连接时,其核心目的是为了提高整个电路的耐压能力。单个MOS管能够承受的最大电压由其额定参数(如BVdss)决定。如果实际应用场景中的电压超过了单个MOS管所能承受的范围,则可以通过串联的方式将总电压分配到各个MOS管上[^1]。 假设存在n个相同MOS串联在一起,并且这些MOS管具有相同的阈值电压VT和跨导gm。在这种情况下,每个MOS管上的电压分布理论上应该是均匀的,即每只MOS管承担总电压的一部分\( V_{total}/n \)[^3]。然而,在实际情况中由于制造工艺差异以及温度变化等因素的影响,各MOS管之间的电气特性可能存在偏差,这可能导致某些MOS管承受更高的电压从而引发损坏的风险。因此,在设计过程中通常需要采取措施来平衡不同器件间的电压分配。 #### 2. **均压电阻的作用** 为了确保每一个串联起来使用的功率场效应晶体管都能平均分担施加在其两端的整体直流高压, 可以在每一级之间加入适当数值大小的均压电阻Rp 。 这些附加元件有助于补偿因个体间固有属性微小差别所造成的静态偏置条件下的失衡现象 [^1]. 具体来说,均压电阻可以有效减少由于漏源寄生电容(Cgd,Cds)引起的动态不均衡问题,尤其是在高频开关条件下更为重要。通过合理设置Rp阻值大小(一般选取几十千欧至几百千欧范围内),可以在一定程度上改善整体系统的稳定性并延长使用寿命。 #### 3. **典型应用场景** - **高压电源转换器**: 在一些高效率DC/AC逆变器或者LED驱动器当中经常可以看到采用多颗增强型NMOSFET串连组成输出端配置方案的例子。这样做的好处是可以轻松应对数百伏甚至千伏级别的输入需求而不必担心单一组件失效造成整机瘫痪的局面发生。 - **电机控制领域**: 对于大功率无刷直流马达而言,其内部往往集成了复杂的电子换向逻辑单元用来精确调控转子位置信号反馈机制及时刻表征量的变化趋势。在此类场合下运用到了大量高性能SiC-MOSFETs按照特定拓扑结构相互拼接而成的大规模集成模块产品形式呈现出来以便更好地适应复杂工况环境的要求标准规定限制条款约束情况等等诸多方面因素综合考量之后最终确定下来的最佳实施方案之一而已啦! ```python # Python模拟简单MOS串联电路分析程序 import numpy as np def mosfet_series_analysis(v_total, n_mos, v_breakdown_single): """ 计算MOS串联后的安全性和电压分配 参数: v_total (float): 总电压(V) n_mos (int): 并联数量 v_breakdown_single (float): 单个MOS管最大耐受电压(V) 返回: dict: 结果字典包含是否安全标志及每个MOS管理论承压值 """ voltage_per_mos = v_total / n_mos is_safe = True if voltage_per_mos <= v_breakdown_single else False result = { 'is_safe': is_safe, 'voltage_each_mos': round(voltage_per_mos, 2), } return result example_result = mosfet_series_analysis(800, 4, 250) print(f"MOS串联安全性:{example_result['is_safe']}, 每个MOS管理论承压:{example_result['voltage_each_mos']}V") ```
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