基于FGMOS晶体管的低功耗低电压电路设计
1. 引言
在电路设计中,传统基于FGMOS晶体管的电路设计通常需要双多晶硅技术来实现电容,因为这种技术能更简单、准确地实现电容。然而,理论上也可以使用多晶硅顶部的金属来实现电容。接下来将分析使用纯数字技术、无第二多晶硅层和低质量金属/多晶硅电容的后果和可行性。
2. IF BP二阶滤波器性能总结
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 电源电压 | 1.25 V |
| 面积 | 0.05 mm² |
| fo@ISS = [2.75 μA, 145 μA] | 700 kHz – 5.2 MHz |
| Q | 0.7 – 5 |
| 输入范围 (THD < 1%) | 1.2 Vpp |
| DR (THD = 1%) | >40 dB |
| 本底噪声 | < -60 dB |
| PSRR | >36 dB |
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