NAND闪存单元采用特殊场效应管结构，通过浮动栅极捕捉并储存电子，即使断电也能保持信息。浮动栅极中电子数量改变导通电压Vth，实现不同状态的信息存储。
nand flash cell使用一种特殊的场效应管，结构如下图所示。control gate是控制栅极，即一般意义上的栅极；相对于普通场效应管增加了floating gate，即浮栅结构，与外界没有电气连接，被包裹在二氧化硅介质层中，是浮空的。
浮栅可以捕捉电子并储存，并且由于没有对外的回路，即使掉电之后，电子也不会流失。而浮栅结构中存储的电子的量，可以改变场效应管的导通电压，即Vth。不同的Vth可以代表不同的状态，实现了信息的存储。
参考
Inside NAND Flash Memories
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