从浮栅MOS到Nand Flash Cell

*以下是个人对相关基础知识的梳理和总结，对于高度专业性的知识个人理解可能会有出入，如果有误，希望各位大佬不吝指教；

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1.上篇博文讲了浮栅MOS怎么存储信息的：

    给栅极一个高压，电子就可以穿过隧穿层进入浮栅层，然后因为有绝缘层的存在，电子就在浮栅层止步了。如果在把电压撤走，此时这些电子依然会被锁在浮栅层，因为隧穿层本质上也是一种绝缘体【有兴趣可以去了解一下隧穿效应，这里就不做更深入的分析了】；

    这样1bit数据就被存进去了；

2.擦除数据

    把浮栅层中的电子释放掉就意味着擦除数据，那怎么把电子释放掉呢？可以在衬底上增加高压，这样浮栅层中的电子就可以被吸引出来；

    如果浮栅层中没有电子，就意味着是data=1的状态，浮栅层中有电子就是data=0的状态；

    那硬件是怎么知道这个浮栅MOS是0还是1的状态呢？继续往下看