NAND知识一：浮栅FG（Floating Gate）和电荷捕获CT（Charge Trap）的区别

原创 已于 2024-08-04 11:46:19 修改 · 3k 阅读 · 2 ·
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#硬件工程

于 2024-08-04 11:34:40 首次发布

目前NAND颗粒已从2D时代进化到3D时代，存储单元技术也从传统的浮栅FG（Floating Gate）进化到了电荷捕获CT（Charge Trap），这两种技术有很多相似之处，本文将简要描述他们的区别和联系。

FGCT
存储材料导体绝缘材料
电子可自由移动很难移动
隧道氧化层敏感不敏感
单元干扰较严重较弱
编程电压较高较低
读写方式相同
擦除方式F-N隧道效应热注入空穴
电荷存储区不共享共享
数据保持较好较差(电子侧向移动)

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