高无杂散动态范围与高线性度射频的改进转换增益
1. 引言
在射频(RF)电路设计中,转换增益(CG)、无杂散动态范围(SFDR)和线性度是至关重要的性能指标。然而,这些指标之间往往存在着权衡关系。例如,为了降低前端模块(如放大器)的噪声,通常需要牺牲线性度或消耗更多的功率。因此,寻找一种能够在提高转换增益的同时,保持高 SFDR 和高线性度的方法具有重要的实际意义。
2. 相关技术综述
2.1 下变频混频器的性能特点
下变频混频器在公共电源轨下,能够在转换增益、线性度和噪声系数(NF)方面提供平衡的射频性能。通过堆叠跨导级、开关四象限级和负载电阻,并采用较高的电源电压(VDD),可以实现较好的性能。然而,这种设计会导致电源轨下的晶体管数量增加。为了减少晶体管数量,一些设计将中频(IF)输出级和本振(LO)开关进行折叠。
2.2 不同技术的优缺点
- 电流泄放有源混频器 :可以提高转换增益和噪声系数,但 nMOS 电流泄放器会消耗额外的功率。
- 采用电感栅极偏置的电流泄放晶体管 :在不增加额外功率消耗的情况下,可以提高跨导电流,从而提高转换增益,但会降低噪声系数。
- 直接转换型接收器 :可以减少硅面积,但会受到直流偏移的影响,导致线性度下降。
- 导数叠加(DS)、改进和增强的 DS 方法 :可以通过降低三阶互调失真(IM3)来提高有源混频器或低噪声放大器(LNA)的线性度。
高线性度射频混频器转换增益优化
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