NTGD4167CT1G-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**NTGD4167CT1G-VB**是VBsemi品牌的双通道（N+P）场效应管。封装为SOT23-6。该器件具有以下主要参数：

- **漏极-源极电压（VDS）：** ±20V
- **漏极电流（ID）：** 7A（N-Channel） / -4.5A（P-Channel）
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 20mΩ @ VGS=4.5V（N-Channel） / 70mΩ @ VGS=4.5V（P-Channel）
- **阈值电压（Vth）：** 0.71V（N-Channel） / -0.81V（P-Channel）

**产品简介：**

NTGD4167CT1G-VB是一款高性能的双通道场效应管，具有N沟道和P沟道两种型号。它适用于需要同时控制正负电压的电路设计，提供了灵活性和效率。

**详细参数说明：**

- **型号：** NTGD4167CT1G-VB
- **品牌：** VBsemi
- **器件类型：** 双通道（N+P）场效应管
- **封装：** SOT23-6
- **N-Channel参数：**
  - **漏极-源极电压（VDS）：** ±20V
  - **漏极电流（ID）：** 7A
  - **导通电阻（RDS(ON)）：** 20mΩ @ VGS=4.5V
  - **阈值电压（Vth）：** 0.71V
- **P-Channel参数：**
  - **漏极-源极电压（VDS）：** ±20V
  - **漏极电流（ID）：** -4.5A
  - **导通电阻（RDS(ON)）：** 70mΩ @ VGS=4.5V
  - **阈值电压（Vth）：** -0.81V

**适用领域和模块举例：**

1. **电源管理：** NTGD4167CT1G-VB可用于电源管理模块中的功率开关和电流调节器，灵活地控制正负电压。例如，用于电池充放电管理系统中的电流保护和电源开关。

2. **电路保护：** 在电路保护领域，该器件可以应用于过压、欠压保护电路中，保护各种类型的负载。例如，用于电路开关和断路器中的电流和电压保护功能。

3. **信号开关：** NTGD4167CT1G-VB可用于高频信号开关模块中，控制信号通路的开关。例如，在无线通信系统中的射频开关电路和天线切换器中。

4. **传感器接口：** 在传感器接口电路中，该器件可用于控制传感器信号的放大和反向保护。例如，在温度传感器和压力传感器接口电路中，以确保传感器信号的准确性和稳定性。