26N50L-T3P-T-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### 产品简介

**26N50L-T3P-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO3P封装。这款MOSFET具有600V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为190mΩ，最大漏极电流（ID）为20A。采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种高压应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 规格          |
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| 封装类型            | TO3P         |
| 配置                | 单N沟道      |
| 漏源电压（VDS）     | 600V         |
| 栅源电压（VGS）     | 30V（±）      |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V         |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 190mΩ@VGS=10V|
| 最大漏极电流（ID）  | 20A          |
| 技术                | SJ_Multi-EPI |

### 应用领域和模块

1. **电源管理模块**：26N50L-T3P-T-VB MOSFET适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理模块。这些模块需要高效率和高可靠性的开关元件，以减少功率损耗并提高系统性能。

2. **工业控制**：在工业控制应用中，如电机驱动、变频器和伺服驱动器，26N50L-T3P-T-VB MOSFET的高电流和高电压处理能力使其成为理想选择。这些应用需要高效的开关器件来处理高电流和电压，同时保证系统的稳定性和可靠性。

3. **光伏逆变器**：光伏逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，26N50L-T3P-T-VB MOSFET在这些逆变器中起着关键作用。它能够处理高电压和电流，确保逆变器的高效运行和长寿命。

4. **电动汽车（EV）充电桩**：在电动汽车充电桩中，26N50L-T3P-T-VB MOSFET用于高效的电能转换和控制。其高电压和电流能力确保充电过程的快速性和安全性。

5. **照明控制**：在LED照明和其他高效照明系统中，这款MOSFET被用来调节电流和控制亮度，确保系统的高效和稳定运行。