26N50-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### VBsemi 26N50-VB MOSFET 产品概述

VBsemi 26N50-VB 是一款高性能的单 N-通道 MOSFET，设计用于各种功率管理应用。该 MOSFET 封装在 TO3P 封装中，适用于高功率应用。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术，具有较低的导通电阻和高电压承载能力，适用于要求高可靠性和高效率的应用场合。

### 详细规格

- **封装：** TO3P
- **配置：** 单 N-通道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 600V
- **VGS（栅极-源极电压）：** ±30V
- **Vth（栅极阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 190mΩ @ VGS = 10V
- **ID（连续漏极电流）：** 20A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

### 应用和用例

VBsemi 26N50-VB MOSFET 适用于各种领域和模块：

1. **工业电源系统：**
   - **高压直流电源：** 由于其高电压承载能力和低导通电阻，适用于工业级高压直流电源的开关电路。
   - **电力因数校正：** 在电力因数校正装置中，可用于控制电流和电压。

2. **电动汽车充电桩：**
   - **充电桩控制器：** 用于控制充电桩的功率开关，确保充电效率和安全性。

3. **太阳能逆变器：**
   - **逆变器控制：** 在太阳能逆变器中用于控制电流和电压，提高能源转换效率。

4. **工业自动化：**
   - **PLC 控制器：** 用于工厂自动化系统中的电力开关和控制。

5. **医疗设备：**
   - **X 射线发生器：** 用于控制 X 射线发生器的电源开关，确保精确的 X 射线产生。

VBsemi 26N50-VB MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻和高电压承载能力，适用于各种高功率应用，包括工业电源、电动汽车充电桩、太阳能逆变器等。