13N50H-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### 产品简介：
13N50H-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth）、420mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及11A的漏极电流（ID）。适用于高压高功率电路设计。

### 参数说明：
- **型号：** 13N50H-VB
- **封装：** TO263
- **构型：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：** 420mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 11A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

### 适用领域和模块：
1. **电源开关：** 由于13N50H-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适用于高压高功率电源开关，如电源逆变器、开关电源等。
2. **电机驱动：** 可用于电机驱动电路中的功率开关，提供可靠的电源控制和驱动功能。
3. **电源逆变器：** 适用于电源逆变器中的高压开关，用于将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器、UPS逆变器等。
4. **工业电子：** 在工业控制领域，可用于高压高功率电源开关和驱动器，提供高效、可靠的电源控制和驱动功能。
5. **汽车电子：** 在汽车电子领域，可用于汽车电子控制单元（ECU）中的电源开关和驱动器，提供可靠的电源控制和驱动功能。