13N50H-VB TO220F一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 13N50H-VB MOSFET 产品简介

VBsemi的13N50H-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装技术。这种MOSFET在550V的漏源电压（VDS）和30V（±V）的栅源电压（VGS）下工作。其开态电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为260mΩ。该器件的额定电流（ID）为18A，采用了Plannar技术，适用于中功率应用场景。

### 13N50H-VB MOSFET 参数说明

- **型号：** 13N50H-VB
- **封装：** TO220F
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 550V
- **栅源电压（VGS）：** 30（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 260mΩ
- **额定电流（ID）：** 18A
- **技术：** Plannar

### 13N50H-VB MOSFET 应用领域及模块示例

1. **电源转换器：**
   13N50H-VB MOSFET适用于各种中功率的电源转换器，如LED驱动器、工业电源等。其高漏源电压和额定电流使其成为电源转换器中的理想选择，提高了转换器的效率和可靠性。

2. **照明应用：**
   在照明应用中，13N50H-VB MOSFET可用于LED照明驱动器和电源控制。其高漏源电压和低导通电阻确保了LED照明系统的高效率和长寿命。

3. **电动汽车充电桩：**
   在电动汽车充电桩中，13N50H-VB MOSFET可用于控制充电桩的电源转换和开关。其高漏源电压和额定电流确保了充电桩的高效率和可靠性。

4. **电动汽车动力逆变器：**
   在电动汽车动力逆变器中，13N50H-VB MOSFET可用于控制电动汽车的动力系统。其高漏源电压和额定电流使其能够满足动力逆变器的功率需求，提高了电动汽车的性能和效率。

通过这些应用领域和模块的实例，13N50H-VB MOSFET展示了其在中功率需求场景中的适用性，成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。