10WNMD2160-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

### 1. 产品简介

VBsemi的10WNMD2160-VB是一款双N沟道和双P沟道MOSFET，采用SOT23-6封装。它具有20V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），和0.5~1.5V的阈值电压（Vth）。这款MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）为28mΩ（在VGS=2.5V时）和24mΩ（在VGS=4.5V时），最大漏极电流（ID）为6A。它采用了Trench技术，适用于各种领域和模块。

### 2. 参数说明

- 封装：SOT23-6
- 构型：双N沟道和双P沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：20V
- 栅极-源极电压（VGS）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：0.5~1.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ @ VGS=2.5V，24mΩ @ VGS=4.5V
- 最大漏极电流（ID）：6A
- 技术：Trench

### 3. 应用领域和模块

- **移动设备**：由于10WNMD2160-VB具有较低的漏极-源极电压和适中的导通电阻，它适用于手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理和功率控制。
- **电源模块**：在各种电源模块中，这款MOSFET可以用于功率开关和电源调节器。
- **汽车电子**：在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于控制灯光、电动窗户和其他电气设备。
- **工业控制**：可用于各种工业控制应用，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化和机器人控制。

这些是一些10WNMD2160-VB可以应用的领域和模块的例子，但实际上，它在各种低电压和低功率应用中都有潜在的用途。