25CEH2288-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

### 25CEH2288-VB 产品简介

**25CEH2288-VB** 是一款双极性 N+N-Channel MOSFET，采用 SOT23-6 封装，适用于低压应用。它采用了 Trench 技术，能够提供低导通电阻和高效能量转换。

### 详细参数说明

| **参数**              | **数值**                       |
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| **封装**             | SOT23-6                     |
| **配置**             | 双-N+N-Channel                |
| **漏源极电压 (VDS)**  | 20V                         |
| **栅源极电压 (VGS)**  | ±20V                        |
| **阈值电压 (Vth)**    | 0.5~1.5V                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 28mΩ @ VGS=2.5V             |
|                      | 24mΩ @ VGS=4.5V             |
| **连续漏极电流 (ID)** | 6A                          |
| **技术**             | Trench                      |

### 适用领域和模块

1. **便携式电子设备**：25CEH2288-VB 可以用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑等的电源管理和功率控制。

2. **消费类电子产品**：在消费类电子产品中，如数码相机、便携式音响等，25CEH2288-VB 可以用于功率管理和开关电路。

3. **医疗设备**：在医疗设备中，25CEH2288-VB 可以用于各种电源管理和功率控制电路，确保设备的稳定性和高效性。

4. **工业控制**：在工业控制系统中，25CEH2288-VB 可以用于各种功率开关和控制电路，提供稳定的电源和高效的能量转换。