NTMS5838NLR2G-VB一款SOP8封装N—Channel场效应MOS管

VBsemi NTMS5838NLR2G-VB MOSFET:
- 丝印: VBA1410
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 40V
- 额定电流: 10A
- 静态电阻: RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V
- 封装: SOP8

**详细参数说明:**
NTMS5838NLR2G-VB MOSFET是一款N沟道场效应晶体管，工作电压为40V，最大电流为10A。其静态电阻在VGS为10V和VGS为20V时为14mΩ，确保高效率的电流传输。阈值电压为1.6V，适用于多种电源和开关控制应用。

**应用简介:**
这款MOSFET适用于多个领域和模块:
1. **LED照明:** 在LED驱动电路中，可提供高效的电源开关。
2. **电池管理系统:** 用于电池充放电控制，确保高效能和可靠性。
3. **电源开关:** 由于其高性能特性，适合用于各种电源开关设计。

VBsemi NTMS5838NLR2G-VB MOSFET可广泛用于需要高性能N沟道MOSFET的电子设备和系统。