NTMD6N04R2G-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管

产品型号: NTMD6N04R2G-VB
品牌: VBsemi
丝印: VBA3638
参数:
- 沟道类型: 2个N-Channel
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 6A
- 导通电阻: RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 门阈电压: Vth=1.5V
封装: SOP8

详细参数说明：
NTMD6N04R2G-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，具有两个沟道。其额定工作电压为60V，最大额定电流为6A。在VGS=10V和VGS=20V时，其导通电阻为27mΩ。门阈电压为1.5V。该产品封装为SOP8，方便安装和使用。

应用简介：
NTMD6N04R2G-VB适用于各种电子电路模块和设备中。由于其N-Channel沟道特性，适用于负载开关、电源管理、电池保护等领域。例如，可用于电源逆变器、直流-直流转换器、电池充放电管理模块等。在这些应用中，NTMD6N04R2G-VB可作为开关管，用于控制电流流动，并保护电路元件免受过载和短路等问题的损坏。