NCE2301F-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**产品型号：** NCE2301F-VB

**丝印：** VB2290

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-20V
- 额定电流：-4A
- 导通电阻：RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压：Vth = -0.81V

**封装：** SOT23

**产品说明：**
NCE2301F-VB是一款P-Channel型号，采用SOT23封装。该产品设计用于在-20V电压下工作，具备-4A的额定电流。在不同电压下（VGS=4.5V, VGS=12V），其导通电阻RDS(ON)为57mΩ，阈值电压Vth为-0.81V。

**应用领域举例：**
1. **负电压电源开关：** NCE2301F-VB适用于负电压电源开关模块，特别在需要进行负电压电源管理的应用场景。其P-Channel沟道设计使其成为理想的负电压开关解决方案。

2. **负电压电池保护：** 由于其额定电流为-4A，该器件可用于负电压电池保护电路，提供可靠的功率开关和电流控制，有助于保护电池免受过放电和过充电的影响。

3. **负载开关：** 在需要对负载进行高效控制的领域，如便携式设备或负电压负载开关模块，NCE2301F-VB可用于负载开关，提供可靠的电流调节和保护功能。

4. **逆变器模块：** 适用于负电压逆变器模块，特别是在需要进行负电压逆变的应用中。其性能参数使其能够在逆变系统中提供高效的能量转换。

**总结：** NCE2301F-VB是一款适用于负电压场景的P-Channel沟道MOSFET，包括负电压电源开关、负电压电池保护、负载开关和逆变器等领域。其性能参数使其成为设计中低功耗、高效率的理想选择，有助于提升系统性能和能效。