MMDF1N05ER2G-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管

型号：MMDF1N05ER2G-VB
丝印：VBA3638
品牌：VBsemi
参数：
- 2个N-Channel沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：6A
- 开态电阻：RDS(ON)=27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门压降：Vth=1.5V
封装：SOP8

详细参数说明：
MMDF1N05ER2G-VB是一款双N-Channel沟道MOSFET，具有60V的额定电压和6A的额定电流。其开态电阻(RDS(ON))为27mΩ，适用于VGS=10V和VGS=20V。门压降(Vth)为1.5V，封装为SOP8。

应用简介：
MMDF1N05ER2G-VB适用于多种领域的电路和模块，包括但不限于：
1. 电源管理模块：用于电源开关和反向保护电路，提供稳定的功率输出。
2. DC-DC转换器：用于将直流电源的电压和电流转换为所需的输出电压和电流，例如在电池充电和供电系统中。
3. 电机驱动器：可用于直流电机和步进电机的控制，提供高效的电机运行和控制功能。
4. LED照明：用于LED照明驱动电路，实现高效能量转换和亮度控制。

举例说明：
MMDF1N05ER2G-VB可用于家用电器中的电源管理和驱动模块，如电源逆变器和LED照明驱动器，提供高效的电源转换和照明控制功能。此外，它还可以应用于汽车电子系统中的电机控制和DC-DC转换器模块，以实现对电动汽车的高效驱动和能量管理。