MMDF2P02ER2G-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

**型号：** MMDF2P02ER2G-VB  
**丝印：** VBA4338  
**品牌：** VBsemi  
**参数：**  
- 2个P—Channel沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-7A
- 导通电阻：35mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：-1.5V  
**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  
MMDF2P02ER2G-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel MOSFET器件，具有两个P—Channel沟道。其额定工作电压为-30V，最大承受电流为-7A。在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻为35mΩ。阈值电压为-1.5V。该器件采用SOP8封装，适用于各种电路设计。

**应用简介：**  
MMDF2P02ER2G-VB适用于多种领域和模块，包括但不限于：
1. 电源管理模块：可用于电源管理模块中的开关电源控制，如DC-DC转换器、充电管理电路等。
2. 电机驱动器：可用作电机驱动器中的电源开关，帮助控制电机的启停和转速。
3. LED照明系统：在LED照明系统中，可作为LED驱动电路中的电源开关，实现LED的控制和调光功能。

总之，MMDF2P02ER2G-VB适用于需要P-Channel MOSFET的各种电路设计，特别是需要低导通电阻和高性能的应用场合。