MI9933-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

产品名称: MI9933-VB

丝印: VBA4338

品牌: VBsemi

参数:
- 2个P—Channel沟道
- 最大耐压: -30V
- 最大电流: -7A
- 导通电阻: 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门压阈值: -1.5V

封装: SOP8

详细参数说明:
MI9933-VB是一款P沟道MOSFET，具有两个P沟道沟道。其最大耐压为-30V，最大电流为-7A，具有低导通电阻，RDS(ON)为35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。门压阈值为-1.5V，适用于各种负电压应用。

应用简介:
这款MOSFET适合用于以下领域和模块:
1. 电池保护模块: MI9933-VB可用于电池管理系统中的电池保护和电流控制，确保电池安全充放电。
2. 电源开关模块: 由于其高耐压和高电流特性，该器件适用于电源开关和功率调节，用于各种便携式电子设备和家用电器。
3. 电动工具模块: 在电动工具和手持设备中，该MOSFET可用于电机驱动和功率控制，提供高效能的工作性能。
4. DC-DC转换模块: 作为DC-DC转换器的开关器件，MI9933-VB可实现高效能的电能转换，用于移动设备充电和功率管理。