HM3401D-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** HM3401D-VB

**丝印：** VB2355

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大耐压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 开启电阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：-1V

**封装：** SOT23

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** 产品采用P—Channel沟道，适用于特定应用场景。
- **最大耐压（Maximum Voltage）：** 产品的最大耐压为-30V，使其在不同电源环境下都能稳定工作。
- **最大电流（Maximum Current）：** 产品支持最大电流-5.6A，适用于对电流需求较高的应用。
- **开启电阻（On-Resistance）：** 在VGS=10V和VGS=20V的情况下，产品的开启电阻为47mΩ，表现出较低的导通电阻，有助于提高效率。
- **阈值电压（Threshold Voltage）：** 产品的阈值电压为-1V，使其能够在低电压条件下正常工作。

**应用简介：**
HM3401D-VB适用于SOT23封装，主要用于对电流、电阻和电压稳定性有较高要求的电路设计。常见的应用领域和模块包括：
- **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道和较低的开启电阻，可用于电源管理模块，提供有效的电流控制。
- **电池保护：** 在需要对电池进行保护的电路中，可以使用该产品，确保在不同工作条件下对电池进行可靠的控制。
- **低电压断路器：** 由于阈值电压为-1V，适用于低电压断路器的设计，以确保在低电压情况下可靠触发。
- **电流控制模块：** 由于最大电流为-5.6A，可用于需要较高电流控制的电路设计，如电机控制和驱动模块。

这些应用领域表明该产品在需要P—Channel沟道、低电阻和高电流的电路设计中具有广泛的应用前景。