HAT3018R-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: HAT3018R-VB
品牌: VBsemi
丝印: VBA5638
封装: SOP8

详细参数说明:
- 通道类型: N+P沟道
- 额定电压: ±60V
- 额定电流: 6.5A (N沟道), -5A (P沟道)
- 开启电阻: RDS(ON) = 28mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V (N沟道), RDS(ON) = 51mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V (P沟道)
- 阈值电压: Vth = ±1.9V

应用简介:
HAT3018R-VB是一款N+P沟道功率场效应管，具有高度可靠的性能特征，适用于多种领域的应用。其双通道设计和优异的电性能使其成为各种电子设备和模块的理想选择。

应用示例:
1. DC-DC转换器: HAT3018R-VB可用于设计各种类型的DC-DC转换器模块，用于电源管理和电压转换应用。其双通道设计和高额定电压能力确保了模块在不同电源系统中的稳定性和可靠性。

2. 电动车辆控制: 由于具有N+P沟道设计和低开启电阻，HAT3018R-VB适用于电动车辆控制模块的设计。它可用于电动汽车、电动自行车和电动滑板车等交通工具中，实现高效的电机控制和驱动。

3. 工业自动化设备: 该产品还可用于工业自动化设备的控制模块，如工业机器人、自动化生产线和机械设备等。其双通道设计和可靠性使其成为工业控制系统中的关键组件，提供稳定的电气控制和驱动。

总之，HAT3018R-VB功率场效应管适用于多种领域的应用，包括DC-DC转换器、电动车辆控制和工业自动化设备等。其优异的电性能和稳定性，使其成为各种电子设备和模块的理想选择，为各种应用场景提供可靠的电气控制和驱动。