HAT3010R-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi品牌 HAT3010R-VB
丝印：VBA5638
参数：
- N+P-沟道，±60V，6.5/-5A
- RDS(ON)=28/51mΩ @ VGS=10V，VGS=20V
- Vth=±1.9V
封装：SOP8

详细参数说明：
HAT3010R-VB是一款具有N+P-沟道的功率场效应晶体管。其工作电压范围为±60V，最大电流分别为6.5A和-5A。在不同的栅极-源极电压下，其导通电阻RDS(ON)分别为28mΩ和51mΩ，VGS=10V时和VGS=20V时。门阈电压为±1.9V。封装采用SOP8封装形式。

应用简介：
这款产品适用于需要混合N和P-沟道的功率控制应用。例如，它可以用于直流-直流转换器、电源逆变器、电机驱动器和电源开关等领域。其高性能和可靠性使其成为工业自动化、电力电子和电动汽车等领域中的理想选择。