2SJ285-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** 2SJ285-VB

**丝印：** VB264K

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大漏电压（VDS）：-60V
- 最大漏电流（ID）：-0.5A
- 开通电阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1.87V

**应用简介：**
2SJ285-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管，采用SOT23封装。其主要特点包括最大漏电压为-60V，最大漏电流为-0.5A，具有低开通电阻（RDS(ON)）等性能。该产品适用于需要负载开关的电路和模块。

**适用领域和示例应用：**
1. **电源管理模块：** 由于2SJ285-VB具有较低的开通电阻和P—Channel沟道的特性，可在电源管理模块中用作电源开关，提高整体电路的效率。

2. **电池保护回路：** 在需要对电池进行过放电保护的应用中，2SJ285-VB可以作为电池保护回路中的关键组件，确保电池的安全使用。

3. **低功耗电子设备：** 由于其低阈值电压和低漏电流的特性，适用于一些对功耗要求较为严格的低功耗电子设备，如便携式设备、传感器模块等。

总体而言，2SJ285-VB适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路和模块，特别是在一些对功耗、效率和电源管理要求较高的领域中发挥着重要作用。