2SJ211-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

这篇文章介绍了VBsemi品牌2SJ211-VBP-Channel沟道MOSFET,包括其参数(如最大耐压、电流、电阻和阈值电压)、SOT23封装,以及在低功耗电源管理、信号开关和电流调节等领域的应用实例。

2SJ211-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。以下是该产品的详细参数和应用简介:

- **参数说明:**
  - 类型:P—Channel沟道MOSFET
  - 最大耐压:-100V
  - 最大电流:-1.5A
  - 开启电阻(RDS(ON)):500mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压(Vth):-2.5V

- **封装:**
  - 类型:SOT23

- **适用领域和模块举例:**
  1. **适用领域:** 由于是P—Channel沟道MOSFET,通常用于低功耗电源管理、信号开关和电流调节等领域。
  
  2. **模块应用举例:**
     - **低功耗电源:** 2SJ211-VB可应用于低功耗电源模块,适用于便携设备等领域。
     - **信号开关:** 在信号开关电路中,可用于控制信号的开关。
     - **电流调节:** 适用于需要进行电流调节的电路模块。

该产品适用于需要P—Channel MOSFET的低功耗电源管理、信号开关和电流调节等领域。

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