2SJ185-T1B-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**2SJ185-T1B-VB Transistor**

- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 极性：P—Channel沟道
  - 最大耐压：-60V
  - 最大电流：-0.5A
  - 开通电阻：RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：Vth=-1.87V

- **封装：** SOT23

**详细参数说明:**
2SJ185-T1B-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装，具有以下特性：最大耐压为-60V，最大电流为-0.5A。开通电阻在不同门源电压下分别为3000mΩ（VGS=10V）和3000mΩ（VGS=20V）。阈值电压为-1.87V。

**应用简介:**
2SJ185-T1B-VB适用于多种电子设备和模块，包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道特性，可用于电源管理模块，实现高效的电流控制和功耗管理。

2. **信号放大器：** 在信号放大电路中，通过其低阈值电压和适度的电流能力，提供可靠的信号放大功能。

3. **电池保护电路：** 适用于电池保护电路，实现对电池充放电的有效控制。

请注意，以上仅为示例，实际应用需根据具体设计要求和电路条件进行调整。