2SJ626-T1B-A-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

2SJ626-T1B-A-VB 丝印：VB2658 品牌：VBsemi 参数：SOT23；P—Channel沟道，-60V；-5.2A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V 封装：SOT23

详细参数说明：
- 型号：2SJ626-T1B-A-VB
- 丝印：VB2658
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 封装类型：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-60V
  - 额定电流：-5.2A
  - 开启电阻：40mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：-2V

应用简介：
2SJ626-T1B-A-VB 是一款适用于SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管。其特性包括负载电压高、电流大，适用于多种电路和模块应用。由于其高额定电压和低阈值电压，该器件常用于需要高性能、高可靠性的电子设备中，如电源逆变器、开关电源、电机驱动等。

举例说明：
2SJ626-T1B-A-VB 可广泛应用于电源逆变器、工业电机驱动、电源管理模块等领域。在功率电子模块中，它可以用于设计高性能、高效率的电源系统，以及其他需要稳定、可靠的电流开关控制的应用。