AM2305PE-T1-PF一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

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#单片机 #MOS管 #硬件工程 #半导体

本文详细介绍了AM2305PE-T1-PF(VB2355)的参数，包括P沟道特性、耐压、导通电阻和门源电压范围，特别适合功率开关、电源管理和电流控制应用，常见于电源转换和电池管理模块。

AM2305PE-T1-PF（VB2355）
参数描述：
P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1Vth(V)；SOT23


型号参数介绍：
AM2305PE-T1-PF (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。


应用简介：AM2305PE-T1-PF适用于功率开关、电源管理和电流控制等应用，常见于电源开关、DC-DC变换器和电池管理等领域模块。
其低导通电阻和合适的电流承载能力使其在多种场景中发挥作用。
 

AM2305P-T1-PF-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
03-13
根据给定文件的信息，我们可以详细地探讨一下AM2305P-T1-PF-VB这款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管的相关特性与应用。 ### AM2305P-T1-PF-VB简介 AM2305P-T1-PF-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体...
AM2305P-T1-PF-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi的博客
03-12 393
AM2305P-T1-PF-VB是一款SOT23封装的P-Channel沟道MOSFET，具有低导通电阻和适用于低电压应用的特性。- 在小型DC-DC转换器中使用，以实现电源转换。型号: AM2305P-T1-PF-VB。- 沟道类型: P-Channel。- 额定电压(Vds): -30V。- 额定电流(Id): -5.6A。- 阈值电压(Vth): -1V。3. **DC-DC转换器:**1. **电源管理模块:**2. **电池管理系统:**4. **电流控制应用:**- 封装: SOT23。
AM2307PE-T1-PF-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
03-12 480
VBsemi AM2307PE-T1-PF-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。- **模块应用：** 适用于功率开关和逆变器模块，特别适合需要P—Channel沟道的电路。- 开态电阻（RDS(ON)）: 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- **领域：** 主要应用于电源管理和开关电源领域。- 额定电压（Vds）: -30V。- 额定电流（Id）: -5.6A。- 阈值电压（Vth）: -1V。- **参数说明:**- **应用简介:**
AM2321PE-T1-PF-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
03-12 474
1. **便携设备模块：** 由于低阈值电压和低导通电阻，AM2321PE-T1-PF-VB适合用于便携设备的电源管理模块，提供高效能源转换。3. **电池供电系统：** 由于低功耗特性，AM2321PE-T1-PF-VB适用于电池供电系统，延长电池寿命，提高系统稳定性。适用于低电压、低功耗的电源管理系统，特别是在便携设备、无线通信模块和电池供电系统中具有优势。也可用于功率开关、电源逆变器等应用。2. **无线通信模块：** 在无线通信设备的电源管理中，该晶体管可用于功率开关，帮助实现高效能耗。
AM2301PE-T1-PF-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi的博客
03-12 432
1. **电源管理模块：** 由于其P-Channel MOSFET的特性，AM2301PE-T1-PF-VB可用于电源管理模块，如电源开关、电流控制等，确保高效的电能转换和稳定的电源输出。3. **便携式电子设备：** AM2301PE-T1-PF-VB的SOT23封装适用于小型、轻便的电子设备，如智能手表、便携音频设备等，以实现低功耗和高效的设计。4. **电池管理系统：** 在需要对电池进行有效管理的系统中，AM2301PE-T1-PF-VB可用于电池充放电控制，延长电池寿命。**详细参数说明：**
AM2359PE-T1-PF-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi的博客
04-07 199
AM2359PE-T1-PF-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道MOSFET，适用于一些需要较高电压和电流的应用场合。- 开启电阻：RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V。1. 电源开关：适用于中功率电源开关模块，能够提供可靠的电源开关功能。2. 电机驱动：可用于驱动中功率电机，提供高效的电机控制。产品型号：AM2359PE-T1-PF-VB。- 沟道类型：P—Channel。- 阈值电压：Vth=-2V。- 最大电流：-5.2A。- 最大电压：-60V。
AM4424N-T1-PF_SOT23-3封装MOSFET参数应用-VBsemi
VBsemi的博客
09-18 71
它的产品参数包括：最大耐压为30V，最大漏极电流为12A，漏源电阻RDS(ON)为12mΩ（在10V时）和15mΩ（在4.5V时），最大栅极源极电压为±20V，阈值电压范围为0.8~2.5V。总之，AM4424N-T1-PF（VBA1311）适用于需要中等耐压、低漏源电阻和较高电流的应用领域，如电源管理、电机驱动、逆变器、开关电源和LED驱动等。开关电源：可用于开关电源控制、DC-DC转换器等。LED驱动：可用于LED照明驱动、背光驱动等。电机驱动：可用于电机控制、马达驱动等。
AM3446NB-T1-PF-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-19 402
**电源管理模块：** 由于其高额定电压和电流参数，AM3446NB-T1-PF-VB 适用于各种电源管理模块，如稳压器、DC-DC 转换器和开关电源。- **汽车电子系统：** 在汽车电子领域，AM3446NB-T1-PF-VB 可用于车载电源管理模块、驱动器和控制器等。- **消费电子产品：** 例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等消费电子产品中，该器件可以用于电池管理、电源开关和电路保护等功能，确保设备的稳定运行和长时间使用。3. **适用领域和模块示例：**1. **产品简介：**
AM3463P-T1-PF-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-19 297
综上所述，AM3463P-T1-PF-VB 是一款功能强大、应用广泛的 P-Channel 沟道场效应管，可在各种电源管理和功率控制应用中发挥重要作用。1. **电源管理模块**：由于其高电压和大电流容量，AM3463P-T1-PF-VB 可用于设计各种类型的电源管理模块，如开关电源、电池充电管理等。5. **便携式电子产品**：由于 SOT23-6 封装的小型化设计，该器件适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑等，用于电池管理和功率控制。- 阈值电压范围：-1V 至 -3V。- 工作电压：-60V。
AM2313P-T1-PF-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
03-12 298
3. **电流控制模块：** 在需要对电流进行精确控制的电路中，AM2313P-T1-PF-VB可作为电流控制的关键部件。4. **低功耗设备：** 由于低漏电流和低静态漏极-源极电阻的特性，适用于对功耗要求较高的低功耗设备，如便携式电子产品。4. **低静态漏极-源极电阻：** 具有3000mΩ的低RDS(ON)，有助于减小导通时的功耗。3. **宽工作电压范围：** 最大漏电压为-60V，适用于各种电源电压要求的应用。2. **低漏电流：** 最大漏电流为-0.5A，适用于对功耗要求较低的场景。
AM2307PE-T1-PF-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
03-13
AM2307PE-T1-PF-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它具有较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的温度稳定性，在各种应用中表现出色。 ### 主要特点 - **TrenchFET® Power ...
AM2345PE-T1-PF-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
04-07
根据给定文件的信息，我们可以详细地探讨一下AM2345PE-T1-PF-VB这款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管的相关知识点。 ### 标题解读：“AM2345PE-T1-PF-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管” - **AM2345PE-T1-PF-...
AM2359PE-T1-PF-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
04-07
AM2359PE-T1-PF-VB作为一款SOT23封装的P-Channel MOSFET，具有较高的隔离电压、宽广的工作温度范围、低热阻等特点，适用于需要高性能和可靠性的电子设备中。通过上述详细介绍，我们可以看出该器件具备优秀的电气性能...
【MCU控制 初级手札】2.8 电源、电动势 ε 【电学基础】
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12-09 527
本文介绍了电源和电动势的基本概念。电源是通过非静电力将其他形式能量转换为电能的装置，能够维持恒定电流。电动势(ε)定义为电源内部非静电力将单位正电荷从负极移动到正极所做的功，方向为电源内部负极指向正极，单位为伏特(V)。文章通过闭合电路方程ε=U外+U内=IR+Ir说明了电动势与电压的关系，并详细比较了两者的差异：电动势反映电源提供电能的能力，存在于电源内部；而电压反映电能消耗，存在于电路任意两点间。电动势是电源自身属性，而电压由电源和电路共同决定。
【普中51单片机开发攻略--基于普中-2&普中-3&普中-4】-- 第 8 章 51 单片机工程模板创建
普中科技的博客
12-06 681
本章将向大家介绍如何使用 KEIL C51 软件以及如何创建 51 单片机工程。 通过本章的学习， 让大家创建属于自己的 51 单片机工程模板， 为后面学习 51 单片机编程做好铺垫。
AH5160C：65V,3A宽输出范围,低纹波,同步降压DCDC转换器
weixin_73833207的博客
12-09 297
AH5160C是一款宽输入电压(4.5-65V)的同步降压转换器，支持80V瞬态电压和3A输出电流。采用ESOP8增强散热封装，集成130mΩ/95mΩ功率MOS管，工作频率200kHz-2MHz可调，支持CCM/DCM/PFM模式切换，轻载效率高（静态电流130μA）。具备完善的保护功能（UVLO/OCP/SCP/OTP）和±2000V ESD防护，适用于工控电源等场景。芯片内置环路补偿，提供电源正常指示，支持大电容启动，外围电路设计简单。
基于单片机的智能豆浆机设计（加热打浆熬煮自动控制与防干溢保护）
xuezhang666666的博客
12-04 712
本文介绍了一种基于单片机的智能豆浆机设计方案。系统采用模块化结构，以单片机为核心控制器，整合温度检测、电机驱动、加热控制、液位监测和声光提示等功能模块。通过程序控制实现全自动豆浆制作流程：加热至80℃、4次正反转打浆循环、30秒熬煮，并具备防干烧和防溢出的安全保护机制。系统采用DS18B20温度传感器、L298N电机驱动芯片等组件，通过模块化程序设计实现精确控制和安全保护。该设计实现了豆浆制作全过程自动化，具有智能化程度高、操作简便、安全可靠等特点。
单片机手搓掌上游戏机（二十二）—pico运行doom之固件和rom上传
lysunbona的博客
12-03 762
把根目录下build/src/doom_tiny.uf2文件复制到这个u盘，开发板就自动重启，但没有任何显示。还需要上传doom1.whx，找到安装环境目录下的picotool文件夹，将这两个文件拷贝到编译的根目录下。按住pico的boot键，将数据线插入电脑usb，会出现一个优盘。拔下数据线，按住开发板boot键，再插入usb。在地址栏输入cmd，进入命令行模式。pico断电重启，开始doom！
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